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NVIDIA B200 Ultra系列變身B300,首度搭載12層
HBM
3e內(nèi)存!
在這次更名中,原先的B200 Ultra變更為B300,而GB200 Ultra則調(diào)整為GB300。B300系列產(chǎn)品的發(fā)布時(shí)間預(yù)計(jì)在2025年第二季度至第三季度之間,而B200和GB200系列將在2024年第…
2024-10-22 19:35
NVIDIA B200 Ultra系列煥新登場,B300配備12層
HBM
3e內(nèi)存!
快科技10月22日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)查,NVIDIA近期將其Blackwell Ultra產(chǎn)品線更名為B300系列。 例如,B300A主要針對OEM客戶,預(yù)計(jì)在H200出貨高峰過后…
2024-10-22 17:01
三星研制成功1c nm良品晶粒,
HBM
4內(nèi)存迎新突破!
10 月 22 日消息,韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日報(bào)道稱,三星電子本月首次開發(fā)出 1c nm(第 6 代 10nm級)DRAM 內(nèi)存 Good Die 良品晶粒,公司內(nèi)部對此給予積…
2024-10-22 16:35
三星14nm DRAM遇阻,
HBM
3E內(nèi)存認(rèn)證或延期?內(nèi)部考慮調(diào)整
三星電子的HBM3E產(chǎn)品完全依賴于其14nm級DRAM,而競爭對手SK海力士和美光的產(chǎn)品則基于1nm級DRAM,這就導(dǎo)致了三星在HBM領(lǐng)域存在相對工藝劣勢。 此外,三星電子在其12nm級DRAM的最初設(shè)計(jì)中…
2024-10-17 19:13
三星14nm DRAM遇阻,
HBM
3E內(nèi)存或調(diào)整設(shè)計(jì)?
▲ 基于三星 12nm 級 DDR5 DRAM 的服務(wù)器內(nèi)存條 此外三星電子在其 12nm 級(1b nm)DRAM 的最初設(shè)計(jì)中并未考慮到HBM 領(lǐng)域的用途,因此三星無法立即調(diào)整 HBM3E 內(nèi)存的 …
2024-10-17 17:21
SK海力士收縮CIS業(yè)務(wù),全力押注
HBM
等高利潤產(chǎn)品?
10 月 17 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日報(bào)道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS圖像傳感器)等次要業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL…
2024-10-17 15:14
三星電子調(diào)整
HBM
內(nèi)存產(chǎn)能,或因英偉達(dá)供應(yīng)延遲?
10 月 10 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道,行業(yè)消息稱三星電子因向大客戶英偉達(dá)供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存出現(xiàn)延遲,將2025 年底的 HBM 產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月 17 萬片晶圓。 …
2024-10-10 13:37
三星調(diào)減
HBM
內(nèi)存產(chǎn)能,因英偉達(dá)供應(yīng)延遲?
10 月 10 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道,行業(yè)消息稱三星電子因向大客戶英偉達(dá)供應(yīng) HBM3E內(nèi)存出現(xiàn)延遲,將 2025 年底的 HBM 產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月 17 萬…
2024-10-10 13:14
外媒眼中的中國芯片:制造落后5年,
HBM
差距10年,光刻機(jī)呢?
不過,也有分析師認(rèn)為,基于華為Mate 60 Pro、Pura70這兩款手機(jī),來對比競爭對手,落后應(yīng)該在3-5年左右,沒有10年那么長。 但后來因?yàn)楸焕牒诿麊魏?,先進(jìn)設(shè)備被限制了,于是先進(jìn)制造方面陷入困境…
2024-10-09 20:35
SK海力士重磅出擊:12層
HBM
3E芯片大規(guī)模量產(chǎn),36GB超大容量來襲!
9 月 26 日消息,SK 海力士今日宣布,公司全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的36GB 容量;公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn) …
2024-09-26 09:40
3nm
HBM
3E控制器與PHY IP,云服務(wù)企業(yè)數(shù)據(jù)中心新寵?
9 月 24 日消息,創(chuàng)意電子 GUC 今日宣布其 3nm 工藝 HBM3E 內(nèi)存控制器與物理層(PHY)IP 已獲業(yè)界重要 CSP云服務(wù)提供商和多家 HPC 解決方案供應(yīng)商采用,該 ASIC 預(yù)…
2024-09-24 18:25
AI三巨頭合體!SK海力士、臺積電、NVIDIA共造下一代
HBM
?
8月23日消息,據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體行業(yè)的三大巨頭SK海力士、臺積電和NVIDIA即將展開深度合作,共同開發(fā)下一代高頻寬內(nèi)存技術(shù)(HBM)。 這一合作計(jì)劃預(yù)計(jì)將在9月的中國臺灣國際半導(dǎo)體展(Semicon…
2024-08-23 18:15
SK海力士新動作!
HBM
內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn),性能或暴增30倍?
8月22日消息,在SK Icheon Forum 2024論壇上,SK海力士副總裁RyuSeong-su宣布,該公司正計(jì)劃開發(fā)一種新的HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)將比目前HBM產(chǎn)品快20-30倍。 Ryu …
2024-08-22 21:17
SK海力士升級M16晶圓廠,增產(chǎn)1b nm DRAM以應(yīng)對
HBM
3E需求
【ITBEAR科技資訊】6月17日消息,據(jù)韓媒The Elec報(bào)道,為滿足日益增長的HBM3E內(nèi)存需求,SK海力士正計(jì)劃大幅提升其1b nm制程DRAM內(nèi)存的產(chǎn)能。由于HBM內(nèi)存對DRAM裸片的消耗量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存,因此,SK海力士的這一舉措有望有效緩解當(dāng)前HBM內(nèi)存的供應(yīng)緊張狀況。該公司已設(shè)定
2024-06-17 10:46
英偉達(dá)CEO黃仁勛駁斥傳聞:三星
HBM
測試未失敗,認(rèn)證需耐心
【ITBEAR科技資訊】6月5日消息,近日,在2024年臺北國際電腦展上,英偉達(dá)公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的認(rèn)證情況發(fā)表了最新言論。他明確表示,英偉達(dá)目前仍在認(rèn)證三星的HBM內(nèi)存,并否認(rèn)了市場上流傳的“三星HBM未通過英偉達(dá)測試”的說法
2024-06-05 09:22
SK海力士“摘果”三星?
HBM
團(tuán)隊(duì)核心成員竟多來自三星!
【ITBEAR科技資訊】5月29日消息,近日,科技媒體TechNews的一篇報(bào)道揭示了SK海力士如何在HBM(High Bandwidth Memory)市場上崛起并成為行業(yè)領(lǐng)頭羊的內(nèi)幕。據(jù)報(bào)道,SK海力士的HBM團(tuán)隊(duì)核心成員竟然大多來自三星,這個(gè)團(tuán)隊(duì)在生成式AI浪潮的推動下,成功抓住了市場機(jī)遇,助力
2024-05-29 16:00
三星辟謠
HBM
芯片測試未通過傳聞,堅(jiān)稱與全球伙伴合作順利
【ITBEAR科技資訊】5月27日消息,近日有傳聞稱三星電子最新研發(fā)的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在英偉達(dá)的測試中未能通過,原因是存在發(fā)熱和功耗問題。然而,三星電子迅速回應(yīng)并辟謠了這些傳聞。據(jù)韓媒Business Korea援引三星電子的官方聲明,該公司明確表示,他們正在與全球多家
2024-05-27 11:00
三星電子瞄準(zhǔn)能效優(yōu)勢,計(jì)劃在
HBM
4內(nèi)存中采用1c nm制程DRAM裸片
【ITBEAR科技資訊】5月17日消息,據(jù)韓媒ZDNet Korea報(bào)道,三星電子正考慮在下一代HBM4內(nèi)存中采用先進(jìn)的1c nm制程DRAM芯片,以增強(qiáng)其產(chǎn)品的能效競爭力。今年年初,三星電子的代表在Memcon 2024行業(yè)會議上透露,公司有望在年底前實(shí)現(xiàn)1c nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)。對于HBM4,三
2024-05-17 15:25
SK海力士或?qū)⒉捎?c nm工藝,
HBM
4E內(nèi)存容量有望進(jìn)一步躍升
【ITBEAR科技資訊】5月14日消息,近日,SK海力士在2024年度IEEE IMW國際存儲研討會上宣布了關(guān)于HBM4E內(nèi)存的重要進(jìn)展。據(jù)SK海力士技術(shù)人員Kim Kwi Wook透露,該公司計(jì)劃采用1c nm工藝的32Gb DRAM芯片來構(gòu)建新一代的HBM4E內(nèi)存,并且預(yù)期該內(nèi)存的開發(fā)周期將縮短至一年。這
2024-05-14 15:21
曝三星電子
HBM
內(nèi)存部門雙軌并進(jìn),新團(tuán)隊(duì)主攻
HBM
4創(chuàng)新
【ITBEAR科技資訊】5月10日消息,據(jù)韓媒The Elec披露,為強(qiáng)化在HBM(High Bandwidth Memory)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的競爭力,三星電子已對其HBM內(nèi)存開發(fā)部門實(shí)施了“雙軌化”改革。此次改革的具體舉措是,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而新近在三月份成立的HBM
2024-05-10 14:15
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