近日，韓國媒體hankooki發(fā)布了一則關(guān)于三星電子與英偉達(dá)合作的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)報(bào)道，三星電子在供應(yīng)8層與12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品給英偉達(dá)時(shí)遇到了阻礙，原因是這些樣品的性能未能滿足英偉達(dá)的標(biāo)準(zhǔn)。因此，原計(jì)劃在年內(nèi)啟動(dòng)的供貨計(jì)劃被推遲至2025年。
據(jù)悉，三星電子自2023年10月起就開始向英偉達(dá)提供HBM3E內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，然而經(jīng)過一年多的時(shí)間，三星在這款內(nèi)存的認(rèn)證流程上并未取得顯著進(jìn)展。這一消息無疑給期待雙方合作的業(yè)界人士帶來了不小的失望。
業(yè)內(nèi)消息人士透露，SK海力士在HBM3E內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，實(shí)際上已經(jīng)為這一類型的利基內(nèi)存設(shè)定了性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。相比之下，三星電子的HBM3E在發(fā)熱和功耗等關(guān)鍵性能參數(shù)上未能達(dá)到英偉達(dá)的要求，這是導(dǎo)致三星供貨計(jì)劃推遲的主要原因。
值得注意的是，盡管三星電子與SK海力士在HBM3E內(nèi)存的鍵合工藝上有所不同——SK海力士采用的是批量回流模制底部填充MR-RUF鍵合技術(shù)，而三星電子則使用的是TC-NCF熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)——但這并非三星電子未能獲得英偉達(dá)供應(yīng)許可的決定性因素。
這一事件也再次凸顯了半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)領(lǐng)先和性能標(biāo)準(zhǔn)的重要性。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，客戶對(duì)于產(chǎn)品的性能要求也越來越高，供應(yīng)商必須不斷提升自身技術(shù)實(shí)力，以滿足市場需求。
對(duì)于三星電子而言，這次供貨計(jì)劃的推遲無疑是一次挫折，但同時(shí)也為其提供了一個(gè)反思和提升的機(jī)會(huì)。未來，三星電子將需要更加專注于技術(shù)研發(fā)和性能優(yōu)化，以確保其產(chǎn)品在市場上具有更強(qiáng)的競爭力。
而英偉達(dá)方面，雖然短期內(nèi)可能會(huì)受到供貨延遲的影響，但長期來看，其對(duì)產(chǎn)品性能的高要求將有助于推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
這一事件也提醒了業(yè)界人士，半導(dǎo)體行業(yè)的合作并非一帆風(fēng)順，供應(yīng)商和客戶之間需要建立更加緊密和有效的溝通機(jī)制，以確保合作的順利進(jìn)行。
最后，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和市場需求的不斷變化，未來還將有更多類似的挑戰(zhàn)和機(jī)遇等待著半導(dǎo)體行業(yè)的企業(yè)和從業(yè)者。
