在圖形處理單元（GPU）的運作中，顯存扮演著至關(guān)重要的角色，它實質(zhì)上是內(nèi)存的一種形式。傳統(tǒng)顯卡多依賴DRAM內(nèi)存，如大家耳熟能詳?shù)腄DR5，然而，在AI芯片領(lǐng)域，這種內(nèi)存已無法滿足需求，取而代之的是HBM內(nèi)存。
HBM，即“High Bandwidth Memory”的縮寫，直譯為“高帶寬內(nèi)存”，顧名思義，其最大的特點在于傳輸速度上的顯著提升。AI技術(shù)的飛速發(fā)展對硬件性能提出了更高要求，傳統(tǒng)的DDR內(nèi)存難以勝任，HBM內(nèi)存因此應(yīng)運而生。
目前，HBM內(nèi)存已經(jīng)發(fā)展到了第三代，即HBM3。然而，中國在AI芯片領(lǐng)域的快速發(fā)展曾一度受到外部限制。為了遏制中國AI技術(shù)的崛起，美國不僅對英偉達(dá)等公司施壓，禁止其向中國出售先進的AI芯片，還試圖阻止中國獲取HBM等關(guān)鍵存儲芯片。
面對這一困境，中國企業(yè)迎難而上，致力于自主研發(fā)HBM內(nèi)存。近日，深圳遠(yuǎn)見智存科技有限公司傳來喜訊，該公司已正式宣布實現(xiàn)HBM2e芯片的量產(chǎn)。這一成果標(biāo)志著中國在HBM內(nèi)存研發(fā)方面取得了重大突破。
遠(yuǎn)見智存不僅成功量產(chǎn)了HBM2e芯片，還制定了未來的發(fā)展計劃。公司表示，將在2025年春節(jié)前后初步完成下一代HBM3/HBM3e的前端設(shè)計。這意味著，中國距離追上三星、SK海力士等國際領(lǐng)先廠商的步伐已越來越近。
HBM2e芯片的量產(chǎn)并非易事。由于技術(shù)封鎖，中國企業(yè)需要繞開TSV及CoWoS等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。然而，遠(yuǎn)見智存憑借整合美光與爾必達(dá)兩支精英團隊的努力，最終成功實現(xiàn)了從HBM一代到HBM二代的持續(xù)突破。
隨著HBM2e芯片的量產(chǎn)和HBM3/HBM3e研發(fā)計劃的推進，中國在AI芯片領(lǐng)域的發(fā)展將步入快車道。這將有助于打破外部封鎖，提升中國AI技術(shù)的國際競爭力。未來，國產(chǎn)AI芯片有望在國際市場上占據(jù)一席之地，為中國科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動力。
