近期，三星電子的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門(mén)宣布了一項(xiàng)重大進(jìn)展：其HBM4（高帶寬存儲(chǔ)器第四代）內(nèi)存的邏輯芯片設(shè)計(jì)已經(jīng)圓滿完成。與此同時(shí)，該公司的Foundry業(yè)務(wù)部也已利用先進(jìn)的4nm工藝開(kāi)始了試產(chǎn)工作。
HBM，作為高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）及圖形處理（GPU）等領(lǐng)域的關(guān)鍵組件，憑借其出色的性能一直備受矚目。然而，HBM的發(fā)展并非一帆風(fēng)順，其中運(yùn)行時(shí)的高發(fā)熱問(wèn)題尤為突出，特別是在邏輯芯片層面。
據(jù)內(nèi)部人士透露，為了克服這一挑戰(zhàn)，三星采用了更為先進(jìn)的制程技術(shù)。這不僅有助于降低發(fā)熱，還能顯著提升HBM4的能效和性能。在制造過(guò)程中，三星不僅運(yùn)用了自家的4nm技術(shù)來(lái)生產(chǎn)邏輯芯片，還引入了10nm制程技術(shù)來(lái)打造DRAM，以確保HBM4產(chǎn)品的卓越品質(zhì)。
從行業(yè)數(shù)據(jù)來(lái)看，HBM4標(biāo)準(zhǔn)支持高達(dá)2048位的接口，數(shù)據(jù)傳輸速率更是達(dá)到了6.4GT/s。與HBM3E相比，HBM4的單個(gè)堆棧帶寬已經(jīng)躍升至1.6TB/s，這一提升無(wú)疑將極大地增強(qiáng)內(nèi)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力。這也意味著，HBM4將能夠更好地滿足人工智能、深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)處理以及高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)?nèi)存性能的苛刻需求。
在研發(fā)進(jìn)度方面，三星的HBM4項(xiàng)目正在有條不紊地推進(jìn)中。據(jù)預(yù)計(jì)，該產(chǎn)品將在2025年下半年正式投入量產(chǎn)。屆時(shí)，HBM4有望為相關(guān)行業(yè)帶來(lái)更加出色的性能和更廣泛的應(yīng)用前景。
