在CES 2025展會上，NAND閃存與固態(tài)存儲領(lǐng)域的佼佼者鎧俠，攜一系列前沿產(chǎn)品和技術(shù)驚艷亮相，專為AI人工智能、汽車行業(yè)、消費者市場及工業(yè)領(lǐng)域量身打造的SSD硬盤與存儲卡產(chǎn)品，成為全場矚目的焦點。
隨著AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展，動輒數(shù)百億乃至千億參數(shù)的大模型，對運行環(huán)境提出了極為嚴苛的要求。CPU處理器、GPU顯卡、內(nèi)存的強大固然重要，但SSD存儲的支持同樣不可或缺。無論是數(shù)據(jù)中心提供的云端AI服務(wù)，還是個人用戶在端側(cè)的部署，都需要龐大的存儲空間與超快的讀寫速度，這無疑是對SSD廠商實力的一次大考。
鎧俠，作為東芝優(yōu)良基因的傳承者，在閃存、主控、固件等核心技術(shù)方面一直走在行業(yè)前列，SSD終端產(chǎn)品的發(fā)展同樣令人矚目。其完整的SSD產(chǎn)品線，尤其是在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，為AI和云端應(yīng)用提供了堅實可靠的存儲基礎(chǔ)。
面對AI對海量數(shù)據(jù)存儲的需求，鎧俠推出了第八代BiCS FLASH技術(shù)，采用218層堆疊設(shè)計和創(chuàng)新的橫向微縮技術(shù)，實現(xiàn)了1Tb TLC和1/2Tb QLC的閃存單元，位密度提升超過50%，讀寫能效大幅提升。其中，基于新閃存的QLC SSD已經(jīng)準備就緒，即將投入商用領(lǐng)域，相比傳統(tǒng)HDD機械硬盤，其性能更優(yōu)、成本更低，單塊SSD最多可集成16顆芯片，容量高達4TB。
第八代BiCS FLASH的最大亮點在于引入了“CBA”架構(gòu)，分別使用不同晶圓制造存儲單元陣列和CMOS控制電路，然后將存儲單元陣列側(cè)的晶圓翻轉(zhuǎn)并與CMOS控制電路晶圓粘貼在一起，從而實現(xiàn)了效能的顯著提升。其中，CMOS控制電路的接口速度高達3600MT/s，為新一代PCIe 5.0 SSD及未來的PCIe 6.0提供了強有力的支持。
在展會現(xiàn)場，鎧俠展示了其全系列SSD產(chǎn)品，包括企業(yè)級的CM7系列、數(shù)據(jù)中心級的CD8P系列、SAS雙端口的PM7系列、高性價比的CD8系列以及新形態(tài)的E1.S XD8系列等。其中，CM7系列作為面向企業(yè)市場的PCIe 5.0 SSD，適用于資料存儲、商業(yè)智能、AI與機器學(xué)習(xí)、線上交易處理等多種場景。其2.5英寸和3.5英寸E3.S兩種形態(tài)、高可靠雙端口設(shè)計以及支持PCIe 5.0、NVMe 2.0的特性，使其能夠滿足不同應(yīng)用需求。容量從1.6TB起步，最高可達15.36TB，順序讀寫速度分別高達14GB/s和7GB/s，隨機讀寫性能同樣出色。
CD8P系列則專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計，可用于超大規(guī)模計算、IoT與大數(shù)據(jù)分析、線上交易處理、虛擬化環(huán)境、流媒體、CDN等多種場景。其支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0，采用鎧俠第五代BiCS TLC閃存顆粒，容量從1.6TB起步，最大可達30.72TB。順序讀寫速度可達12GB/s和5.5GB/s，相比上代PCIe 4.0 SSD提升了60-80%。隨機讀寫性能同樣優(yōu)異，對于隨機讀取工作負載可提供高達99.999%的穩(wěn)定性和低于250us的延遲表現(xiàn)。
鎧俠還展示了一套專為ADAS輔助駕駛系統(tǒng)設(shè)計的通用閃存存儲陣列，支持UFS 4.0/3.1和AEC-Q100 Grade 2規(guī)范，可承受-40℃至105℃的極端環(huán)境，容量從32GB到512GB不等。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，進一步彰顯了鎧俠在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
在AI浪潮的推動下，科技行業(yè)和企業(yè)都在不斷探索和創(chuàng)新，以滿足AI開發(fā)與應(yīng)用的豐富需求。鎧俠作為存儲領(lǐng)域的佼佼者，其不斷推出的前沿產(chǎn)品和技術(shù)，無疑為AI的發(fā)展提供了強有力的支持。
