2024年，存儲(chǔ)技術(shù)的飛速發(fā)展不僅為AI計(jì)算與云端應(yīng)用帶來(lái)了前所未有的便利，也標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域邁入了一個(gè)全新的時(shí)代。年初，行業(yè)巨頭鎧俠推出的首款量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0存儲(chǔ)解決方案，便預(yù)示著這一年的不凡。隨后，其RM、PM和XG系列SSD攜手HPE成功登陸國(guó)際空間站，進(jìn)一步展示了其在高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的實(shí)力。
在追求更大存儲(chǔ)容量的道路上，鎧俠再次邁出關(guān)鍵一步。面對(duì)AI計(jì)算對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)提出的更高要求，鎧俠正式發(fā)布了第八代BiCS FLASH?技術(shù)，并推出了TLC和QLC兩大系列。其中，QLC系列在單位空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量的顯著提升，2Tb QLC產(chǎn)品的位密度相比上一代提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比也提升了約70%。更令人矚目的是，該系列采用了全新的產(chǎn)品架構(gòu)，單個(gè)存儲(chǔ)器封裝內(nèi)可堆疊16個(gè)芯片，提供了業(yè)界領(lǐng)先的4TB存儲(chǔ)容量，同時(shí)保持了緊湊的封裝設(shè)計(jì)。
這一技術(shù)的突破，意味著未來(lái)采用第八代BiCS FLASH? QLC的存儲(chǔ)產(chǎn)品將擁有質(zhì)的飛躍，企業(yè)級(jí)SSD和數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD的容量可輕松突破120TB大關(guān)。Pure Storage等公司已開(kāi)始對(duì)這一技術(shù)進(jìn)行測(cè)試，并認(rèn)為它不僅能滿(mǎn)足人工智能的嚴(yán)苛需求，還能在備份存儲(chǔ)成本上實(shí)現(xiàn)顯著優(yōu)勢(shì)。
與此同時(shí)，鎧俠在PCIe 5.0與EDSFF規(guī)范上的布局也加速了企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的普及。10月份，鎧俠推出了全新XD8系列PCIe 5.0 EDSFF E1.S固態(tài)硬盤(pán)，這是其第三代E1.S產(chǎn)品，符合PCIe 5.0和NVMe 2.0規(guī)范，并支持OCP數(shù)據(jù)中心NVMe SSD v2.5規(guī)范。PCIe 5.0的傳輸效率相比PCIe 4.0翻倍，其高帶寬和低延遲特性使得SSD在高負(fù)載場(chǎng)合下能夠提供更多并發(fā)訪(fǎng)問(wèn)的可能性，從而滿(mǎn)足AI、數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬化、多媒體編輯等高性能需求。
鎧俠還在前瞻性存儲(chǔ)技術(shù)上進(jìn)行了積極探索。例如，基于相變存儲(chǔ)原理的XL-FLASH存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存與CXL技術(shù)的結(jié)合，將打造出功耗更低、位密度更高、讀取速度更快的存儲(chǔ)器。這一技術(shù)不僅有望提高存儲(chǔ)器利用效率，還能實(shí)現(xiàn)顯著的節(jié)能效果。而在車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域，鎧俠也取得了重要進(jìn)展，其車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0產(chǎn)品已獲得ASPICE二級(jí)認(rèn)證，標(biāo)志著其在結(jié)構(gòu)化項(xiàng)目管理和軟件開(kāi)發(fā)流程上的成熟。
在新型存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)上，鎧俠同樣不甘落后。其宣布開(kāi)發(fā)出的OCTRAM技術(shù)，是一種新型4F2 DRAM，由高導(dǎo)通電流和超低漏電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。這一技術(shù)采用InGaZnO晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而顯著降低DRAM功耗。無(wú)論是SSD獨(dú)立緩存還是內(nèi)存產(chǎn)品，這一技術(shù)都有望帶來(lái)高性能、低功耗的產(chǎn)品表現(xiàn)。
