在半導(dǎo)體行業(yè)中，芯片按照生產(chǎn)工藝被普遍劃分為兩大類：成熟芯片與先進(jìn)芯片。界定標(biāo)準(zhǔn)在于制造工藝的尺寸，28納米及以上工藝制造的芯片，無論其具體尺寸如何，均被歸類為成熟芯片。這一范疇不僅涵蓋了邏輯芯片，也包括了存儲(chǔ)芯片等多種類型。而低于28納米的工藝，則被視為先進(jìn)芯片領(lǐng)域。
盡管諸如臺(tái)積電等企業(yè)已將工藝推進(jìn)至3納米，并即將邁入2納米時(shí)代，成熟工藝的重要性依舊不容忽視。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球超過75%的芯片仍采用成熟工藝制造。實(shí)際上，真正需要先進(jìn)工藝的芯片僅限于CPU、GPU及SoC等高端產(chǎn)品，而大多數(shù)傳感器、驅(qū)動(dòng)芯片及MCU等常用組件，成熟工藝已足夠滿足需求。
近年來，中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)步顯著，尤其是在先進(jìn)工藝上不斷取得突破。然而，值得注意的是，中國的主要芯片產(chǎn)能擴(kuò)張仍聚焦于成熟芯片。企業(yè)如晶合集成、華虹等，受限于技術(shù)水平，主要專注于成熟芯片的生產(chǎn)。中芯國際雖然具備先進(jìn)芯片制造技術(shù)，但受限于設(shè)備供應(yīng)，擴(kuò)產(chǎn)同樣以成熟芯片為主。
這一系列舉措促使中國成熟芯片產(chǎn)能大幅提升。據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）數(shù)據(jù)顯示，2023年，中國在全球成熟芯片產(chǎn)能中的占比達(dá)到了33%，而到了2024年，這一比例已攀升至35%以上?；赝?015年，這一數(shù)字僅為19%，意味著過去八年間，中國成熟芯片產(chǎn)能幾乎翻倍。
與此相對，其他國家及地區(qū)的成熟芯片產(chǎn)能占比卻呈現(xiàn)下滑趨勢。從2015年至2023年，日本的占比從19%降至15%，歐洲從15%降至14%，美國則從14%降至12%。在這一背景下，中國的增長尤為突出。
SIA的分析報(bào)告進(jìn)一步指出，中國晶圓的價(jià)格相比全球主要競爭對手低了約10%。這一競爭優(yōu)勢預(yù)計(jì)將使中國在成熟芯片領(lǐng)域的產(chǎn)能和市場份額持續(xù)擴(kuò)大。未來三到五年內(nèi)，中國有望成為全球成熟芯片制造的中心，占比或高達(dá)50%。
這一趨勢引發(fā)了對于美國芯片供應(yīng)安全的擔(dān)憂。美國同樣需要大量成熟芯片，然而其本土產(chǎn)能卻嚴(yán)重不足，難以與中國廠商競爭。隨著中國在成熟芯片領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)張，美國對外部供應(yīng)鏈的依賴程度或?qū)⑦M(jìn)一步加深。
