【ITBEAR科技資訊】8月30日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱"東芝")今日宣布推出了全新的創(chuàng)新性產(chǎn)品，將引領(lǐng)工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展。這款被命名為"MG250YD2YMS3"的2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊，標志著東芝在高壓、高功率領(lǐng)域的巨大進步。
近年來，隨著可再生能源的迅速崛起，光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等應(yīng)用正成為關(guān)注的焦點。在這些領(lǐng)域，直流(DC)1500V的使用逐漸變得普遍，然而市場上卻缺乏相應(yīng)的高壓功率器件。針對這一現(xiàn)狀，東芝推出了業(yè)界首款2200V的SiC MOSFET模塊，填補了市場空白，為工業(yè)應(yīng)用帶來了更多可能性。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，"MG250YD2YMS3"模塊采用了東芝自家研發(fā)的第三代SiC MOSFET芯片，具備出色的性能指標。其漏極電流(DC)額定值高達250A，遠超過傳統(tǒng)功率器件的水平。在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中，模塊表現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗和僅為0.7V的低漏極-源極導(dǎo)通電壓，有效提高了能源轉(zhuǎn)換效率。
除了性能的顯著提升外，"MG250YD2YMS3"還具備出色的損耗特性。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)IGBT，該模塊在開通和關(guān)斷過程中分別降低了約90%的損耗，為工業(yè)設(shè)備的高效運行帶來了更多優(yōu)勢。這也使得用戶在設(shè)計電路時可以考慮采用更少的模塊數(shù)量，從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化。
作為一家致力于持續(xù)創(chuàng)新的公司，東芝通過這一創(chuàng)新性產(chǎn)品展示了其對高效率和工業(yè)設(shè)備小型化的承諾。"MG250YD2YMS3"模塊的推出將進一步推動可再生能源和儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域的發(fā)展，為未來的工業(yè)應(yīng)用開辟更加廣闊的前景。
