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國產(chǎn)DDR5內(nèi)存突破!長鑫存儲(chǔ)良品率直逼國際大廠

   時(shí)間:2024-12-24 20:25:45 來源:ITBEAR編輯:快訊團(tuán)隊(duì) 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

近日,國內(nèi)存儲(chǔ)市場迎來了振奮人心的消息,兩大品牌金百達(dá)與光威攜手推出了搭載國產(chǎn)芯片的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。據(jù)可靠消息,這些產(chǎn)品所采用的DRAM芯片正是由長鑫存儲(chǔ)所生產(chǎn),并已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn),標(biāo)志著我國在高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得了重要突破。

這兩款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的頻率均高達(dá)6000MHz,單條容量達(dá)到16GB。更為親民的是,32GB容量的雙條套裝價(jià)格僅為499元,性價(jià)比極高。這一消息的發(fā)布,無疑為消費(fèi)者提供了更多選擇,同時(shí)也展示了國產(chǎn)芯片在性能和價(jià)格上的雙重優(yōu)勢。

長鑫存儲(chǔ)此前在DRAM領(lǐng)域的產(chǎn)品線主要集中在DDR4、LPDDR4及LPDDR4X系列,均采用19納米制造工藝。去年11月,長鑫正式推出了用于移動(dòng)端的LPDDR5芯片,如今又成功邁入了DDR5的領(lǐng)域,與全球領(lǐng)先的三星、SK海力士及美光三大原廠并駕齊驅(qū)。這一成就不僅彰顯了長鑫的技術(shù)實(shí)力,也預(yù)示著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在國際舞臺(tái)上的競爭力日益增強(qiáng)。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士透露,長鑫存儲(chǔ)的DDR5芯片生產(chǎn)已經(jīng)啟動(dòng),并且正在積極與客戶進(jìn)行接洽。更令人振奮的是,長鑫公布的DDR5產(chǎn)品良率已達(dá)到80%左右,與三星、SK海力士等國際巨頭的良率水平相當(dāng)。要知道,長鑫在面臨美國實(shí)體清單限制、無法獲得先進(jìn)EUV光刻設(shè)備的困境下,依然能夠取得如此成就,實(shí)屬不易。

半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights的Jeongdong Choi博士對(duì)長鑫的DDR5產(chǎn)品給予了高度關(guān)注,并尋求機(jī)會(huì)進(jìn)行深入分析。據(jù)他透露,盡管長鑫未公開相關(guān)官方信息,但根據(jù)其掌握的資料,長鑫的DDR5芯片采用了G3工藝開發(fā),線寬(特征尺寸)達(dá)到了17.5納米。相比之下,DDR4采用的是G1工藝,線寬為22納米,而LPDDR4X則同時(shí)使用了G1和G3工藝。這一工藝上的進(jìn)步,進(jìn)一步證明了長鑫在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的實(shí)力與潛力。

長鑫存儲(chǔ)此次在DDR5領(lǐng)域的突破,不僅是對(duì)自身技術(shù)實(shí)力的有力證明,也是對(duì)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一次重大推動(dòng)。隨著國產(chǎn)芯片在更多領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,相信我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加輝煌的未來。

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