【ITBEAR】9月26日消息，三星近日發(fā)布了旗下新款固態(tài)硬盤——990 EVO Plus，該硬盤融合了最新的第8代V-NAND技術(shù)與先進(jìn)的5nm主控芯片，展現(xiàn)出卓越的性能提升。這款硬盤通過創(chuàng)新的鍍鎳熱屏蔽設(shè)計(jì)，顯著提高了能效，比前代990 EVO提升了高達(dá)73%。
990 EVO Plus提供了1TB、2TB和4TB三種存儲容量選擇，且這款硬盤的一大特點(diǎn)是去除了DRAM緩存。盡管如此，其4TB型號的性能依然強(qiáng)勁，隨機(jī)讀取速度可達(dá)每秒1,050K IOPS，隨機(jī)寫入速度更是高達(dá)1,400K IOPS，與配備DRAM緩存的產(chǎn)品相比性能不減。
該產(chǎn)品還支持PCIe 4.0 ×4或5.0 ×2的NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)，這意味著在連續(xù)讀寫速度上有了質(zhì)的飛躍。據(jù)三星公布的數(shù)據(jù)顯示，990 EVO Plus的連續(xù)讀取速度可達(dá)驚人的7,250 MB/s，而寫入速度也提升至6,300 MB/s，相比上一代產(chǎn)品提升了50%，為用戶帶來了更為流暢的數(shù)據(jù)傳輸體驗(yàn)。
三星990 EVO Plus固態(tài)硬盤的推出，無疑將滿足高端用戶對于存儲設(shè)備性能的苛刻要求，同時(shí)也展示了三星在固態(tài)硬盤技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位。
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