【ITBEAR】9月13日消息，國電投核力創(chuàng)芯近日宣布，其已成功向客戶交付了首批經(jīng)過氫離子注入性能優(yōu)化的芯片產(chǎn)品。這一重大進(jìn)展意味著，我國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的氫離子注入技術(shù)上已實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)與工藝的自主掌控，從而填補(bǔ)了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一項(xiàng)重要技術(shù)空白。
氫離子注入技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓制造中占據(jù)舉足輕重的地位，對于多種半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造而言都是不可或缺的環(huán)節(jié)。然而，長期以來，我國在該技術(shù)的掌握上一直存在短板，導(dǎo)致高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展受到嚴(yán)重限制，特別是在高壓功率芯片領(lǐng)域，長期依賴國外進(jìn)口。
據(jù)ITBEAR了解，面對國際技術(shù)封鎖和裝備禁運(yùn)的挑戰(zhàn)，核力創(chuàng)芯團(tuán)隊(duì)展現(xiàn)了非凡的科研毅力和創(chuàng)新能力。在短短三年的時(shí)間里，他們成功突破了多項(xiàng)技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)了從研發(fā)到生產(chǎn)的全面國產(chǎn)化，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
此次交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)過了嚴(yán)苛的工藝和可靠性測試，累計(jì)測試時(shí)間長達(dá)近1萬小時(shí)。這些芯片的主要技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到國際先進(jìn)水平，并獲得了用戶的廣泛認(rèn)可。這一成就不僅是對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)實(shí)力的一次有力印證，也為我國在全球半導(dǎo)體市場中爭取更多話語權(quán)提供了有力支持。
展望未來，隨著氫離子注入技術(shù)的全面國產(chǎn)化，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望擺脫對外技術(shù)依賴，實(shí)現(xiàn)更加獨(dú)立自主的發(fā)展。同時(shí)，這也將為我國在高端功率芯片、集成電路等核心領(lǐng)域的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級提供堅(jiān)實(shí)保障，推動整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新和進(jìn)步。
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