【ITBEAR科技資訊】9月13日消息，臺積電最近宣布了兩項(xiàng)重大投資計(jì)劃，旨在提高其半導(dǎo)體制造的競爭力。根據(jù)消息，臺積電計(jì)劃以不超過4.328億美元的價(jià)格，收購英特爾手中IMS Nanofabrication(IMS)約10%的股權(quán)。這一交易預(yù)計(jì)將在2023年第四季度完成。
與此同時(shí)，臺積電還計(jì)劃認(rèn)購Arm股票，金額不超過1億美元。這兩項(xiàng)投資計(jì)劃的主要目的是提高臺積電的垂直整合能力，以確保順利過渡到2nm的GAA技術(shù)，從目前的3nm FinFET技術(shù)。這對于半導(dǎo)體制造商來說是一項(xiàng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)，需要持續(xù)投資和合作。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，IMS Nanofabrication是一家成立于1985年的奧地利公司，專注于多電子束直寫光刻設(shè)備的制造。這些設(shè)備在半導(dǎo)體制造中起著關(guān)鍵作用，特別是在使用EUV工藝技術(shù)時(shí)。EUV工藝技術(shù)被廣泛應(yīng)用于7nm及更高工藝節(jié)點(diǎn)，包括臺積電、英特爾和三星等領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商的工藝中。多光束掩模寫入器是實(shí)現(xiàn)EUV工藝的關(guān)鍵組成部分，而IMS的投資將有助于確保這些關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)能夠滿足未來2nm工藝的需求。
總之，臺積電的這兩項(xiàng)投資計(jì)劃表明，他們正在積極應(yīng)對半導(dǎo)體制造技術(shù)的挑戰(zhàn)，以確保自己在行業(yè)中的競爭地位。這些舉措將有望為臺積電在未來的半導(dǎo)體市場中保持領(lǐng)先地位提供重要支持。
