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美光DDR5內(nèi)存驗(yàn)證完成,性能提升近49%

   時(shí)間:2023-01-17 14:54:36 來(lái)源:ITBEAR編輯:汪淼 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

美光公司近日宣布,其面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列中完成驗(yàn)證。美光表示,通過(guò)與聯(lián)想合作,美光DDR5與第四代英特爾至強(qiáng)8480H鉑金處理器組合,對(duì)比美光DDR4與第三代英特爾至強(qiáng)8380鉑金處理器組合,可將SAP工作負(fù)載的處理量提高43%。

美光數(shù)據(jù)顯示,SPECjbb在關(guān)鍵jOPS(每秒Java運(yùn)行次數(shù))的基準(zhǔn)測(cè)試中,性能比前代產(chǎn)品提升了近49%。此外,美光DDR5所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番,升級(jí)到DDR5將帶來(lái)更高的帶寬,有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力,從而緩解其未來(lái)幾年可能面臨的性能瓶頸。

據(jù)ITBEAR了解,美光DDR5內(nèi)存還設(shè)有片上糾錯(cuò)碼(ODECC)和有限故障等功能,可提升整個(gè)數(shù)據(jù)中心的可靠性。ODECC功能可糾正單比特錯(cuò)誤并檢測(cè)多比特錯(cuò)誤。這些功能使得美光DDR5成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域中性能卓越,可靠性高的內(nèi)存產(chǎn)品。

美光的DDR5內(nèi)存的驗(yàn)證是數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的重要一步。DDR5提供了更高的帶寬和性能,有助于緩解未來(lái)可能面臨的性能瓶頸。同時(shí),美光DDR5的片上糾錯(cuò)碼和有限故障功能進(jìn)一步提升了整個(gè)數(shù)據(jù)中心的可靠性。隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的擴(kuò)大和計(jì)算需求的增加,DDR5內(nèi)存的應(yīng)用將會(huì)越來(lái)越廣泛。美光的DDR5內(nèi)存將為數(shù)據(jù)中心提供更高的性能和可靠性,推動(dòng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的發(fā)展。

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