此前真我官方公布，真我GT2大師探索版將于7月12日正式發(fā)布，近日也開始逐漸放出與新機相關(guān)的物料。
官方將這款機型稱為“年度質(zhì)感旗艦”，號稱是“工業(yè)設(shè)計的天花板”。隨著新機發(fā)布時間的日益臨近，網(wǎng)上關(guān)于這款機型的爆料也更加密集。
根據(jù)官網(wǎng)的信息，真我GT2大師探索版將搭載高通驍龍8+處理器，采用了6.7英寸的中置挖孔柔性屏，屏占比將達(dá)到94.2%，支持最高120Hz的高刷和DC調(diào)光，并將具備全局暗色模式，影像由一顆5000萬像素主攝以及一顆5000萬像素超廣角攝像頭和一顆200萬像素微距組成。
由于高通驍龍8的糟糕表現(xiàn)，以及能耗比令人失望和更高的溫度，都讓驍龍8這顆芯片飽受爭議。為了一雪前恥，高通也是提前釋出了高通驍龍8+這顆芯片。
除了主頻上的提升外，還將這顆芯片的代工工作交給了臺積電，并且是基于臺積電的4nm工藝制程打造，據(jù)說在性能提升的同時將帶來更好的溫度表現(xiàn)。
但是真我覺得這還不夠，在真我GT2大師探索版中采用了三明治立體雙VC結(jié)構(gòu)的散熱系統(tǒng)，VC面積達(dá)到了4811平方毫米，直接將專業(yè)游戲手機上的配置搬到了旗艦機上。同時還將全球首發(fā)LPDDR5X內(nèi)存，傳輸速率從LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps。
真我GT2大師探索版的機身采用了金屬中框設(shè)計，重量僅為195g，同時內(nèi)置5000mAh大容量電池，并首次在手機端引入了氮化鎵器件，實現(xiàn)了全鏈路GaN百瓦秒充，充至100%僅需25分鐘。搭配100W的氮化鎵的充電頭，官方宣稱可將發(fā)熱峰值降低85%左右。
根據(jù)知名爆料博主在社交平臺曬出的最新真我GT2大師探索版和iPhone 13 Pro的對比照片看出，全新的真我GT2大師探索版將采用COP封裝工藝，直接將屏幕的一部分彎折然后封裝。
此舉極大地縮減了下邊框的寬度，讓邊框?qū)挾葍H為2.37mm，比iPhone 13 Pro更窄，正面效果極為震撼。海外網(wǎng)友看到照片后給出評論“安卓領(lǐng)先iPhone5年”。
結(jié)合此前的爆料，真我GT2大師探索版將采用環(huán)保素皮設(shè)計，將給用戶帶來極其細(xì)膩的握持手感。并且配以金屬鉚釘裝飾，配合硬箱造型的直角金屬中框，真機散發(fā)著一種優(yōu)雅的氣質(zhì)。
從工業(yè)設(shè)計上來說，真我GT2大師探索版已經(jīng)做到了領(lǐng)先同行的水準(zhǔn)，如果真如傳言中所說，這款機型的起售價將從3000元起跳，那么在市場上將會極具競爭力。
