10 月 10 日消息 根據(jù)外媒 techpowerup 報(bào)道，美國(guó)公司 Synopsys(新思)于 10 月 9 日宣布推出業(yè)界首個(gè)完整的 HBM3 IP 內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)方案。這項(xiàng)技術(shù)是 HBM2e 的升級(jí)版，可以滿足高性能計(jì)算設(shè)備、計(jì)算加速卡等產(chǎn)品的高帶寬需求，采用多層芯片封裝的工藝。HBM 內(nèi)存通常封裝在 GPU 芯片旁，相比傳統(tǒng)顯存芯片速率大幅提升，HBM3 可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 921GB/s 的內(nèi)存帶寬。
據(jù)了解，新思科技是全球排名第一的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 解決方案提供商，全球排名第一的芯片接口 IP 供應(yīng)商，主要提供芯片設(shè)計(jì)軟件和解決方案等。本次發(fā)布的 HBM3 解決方案，包括驗(yàn)證 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型設(shè)計(jì)方案等，可以加速相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開發(fā)流程。
新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 還支持多種靈活的配置，包括糾錯(cuò)碼、刷新管理、奇偶校驗(yàn)等高級(jí) RAS 功能，可以最大化減少內(nèi)庫(kù)存延遲，優(yōu)化數(shù)據(jù)完整性。具體來看，方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸點(diǎn)陣列與中間通訊層連接，中間層采用內(nèi)走線設(shè)計(jì)，具有更大的靈活性，有助于縮小長(zhǎng)度。
DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工藝，同時(shí)每個(gè)引腳的通訊速度高達(dá) 7200Mbps。芯片的電源效率相比前代產(chǎn)品也有提升，并支持多達(dá) 4 種功耗狀態(tài)。官方表示，Synopsys 公司將繼續(xù)滿足數(shù)據(jù)密集型 SoC 的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證要求，為 HBM3、DDR5、LPDDR5 內(nèi)存提供高質(zhì)量的解決方案。
了解到，美光、三星電子以及 SK 海力士等該公司均表示，將繼續(xù)與新思科技進(jìn)行合作，致力于開發(fā)下一代 HBM3 內(nèi)存，以滿足日益增長(zhǎng)的 AI、圖形運(yùn)算需求。
