11月8日消息 昨日,美光宣布,目前已經(jīng)開始量產(chǎn)旗下第二代LPDDR4X內(nèi)存芯片,性能速度能夠達(dá)到4266Mbps,單片容量12Gb(1.5GB),最高可部署12GB。
據(jù)介紹,美光的全新內(nèi)存芯片目前為業(yè)界最高容量,并且也是目前時鐘速度最快的4x DRAM產(chǎn)品,將用于智能手機(jī)、平板等移動設(shè)備,相較于上一代產(chǎn)品還將帶來功耗方面的改進(jìn),功耗降低達(dá)10%。
制造工藝方面,美光全新的內(nèi)存芯片將會基于1Y-nm(10nm級,10-18nm)工藝技術(shù)生產(chǎn)。
隨著5G技術(shù)的即將到來,美光量產(chǎn)全新的內(nèi)存芯片將能夠為計算和數(shù)據(jù)密集型移動應(yīng)用如AI、AR、4K視頻等應(yīng)用提供更好的數(shù)據(jù)處理性能。