11月8日消息 昨日，美光宣布，目前已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)旗下第二代LPDDR4X內(nèi)存芯片，性能速度能夠達(dá)到4266Mbps，單片容量12Gb(1.5GB)，最高可部署12GB。
據(jù)介紹，美光的全新內(nèi)存芯片目前為業(yè)界最高容量，并且也是目前時(shí)鐘速度最快的4x DRAM產(chǎn)品，將用于智能手機(jī)、平板等移動(dòng)設(shè)備，相較于上一代產(chǎn)品還將帶來(lái)功耗方面的改進(jìn)，功耗降低達(dá)10%。
制造工藝方面，美光全新的內(nèi)存芯片將會(huì)基于1Y-nm(10nm級(jí)，10-18nm)工藝技術(shù)生產(chǎn)。
隨著5G技術(shù)的即將到來(lái)，美光量產(chǎn)全新的內(nèi)存芯片將能夠?yàn)橛?jì)算和數(shù)據(jù)密集型移動(dòng)應(yīng)用如AI、AR、4K視頻等應(yīng)用提供更好的數(shù)據(jù)處理性能。
