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美光推進DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)

   時間:2018-10-18 09:52:06 來源:快科技編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)。

事實上,早在今年5月,Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗證模組,DRAM來自美光,接口層自研,采用臺積電7nm工藝,數(shù)據(jù)率可達4400MT/s,也就是頻率高達4400MHz。

根據(jù)美光的最新說法,其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產(chǎn),基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。

按照進度,JEDEC有望年底公布DDR5最終規(guī)范,起步頻率4800MHz,最高6400MHz。其它規(guī)劃中的變化還有,電壓降低、每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

由于AMD要支持AM4接口到2020年,看來已經(jīng)做好技術(shù)預(yù)留了?

美光推進DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)
 
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