英特爾在2024年IEEE國際電子器件會議（IEDM 2024）上展示了其在代工技術(shù)領(lǐng)域的多項創(chuàng)新突破，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
會上，英特爾重點介紹了其在新材料應(yīng)用方面的進展，特別是減成法釕互連技術(shù)。這項技術(shù)的實施，使得線間電容得以顯著降低，最高降幅達到25%，從而有效提升了芯片內(nèi)部互連的性能。
除了新材料技術(shù)，英特爾還展示了一種名為選擇性層轉(zhuǎn)移（SLT）的異構(gòu)集成解決方案，該方案在先進封裝領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。SLT技術(shù)能夠大幅提升封裝過程的吞吐量，最高可達100倍，為實現(xiàn)超快速的芯片間組裝提供了新的可能。
在晶體管微縮技術(shù)方面，英特爾同樣取得了顯著進展。公司展示了硅基RibbionFET CMOS技術(shù)，以及針對2D場效應(yīng)晶體管（2D FETs）的柵氧化層模塊。這些技術(shù)的突破，將進一步推動全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)的微縮，從而提升設(shè)備的整體性能。
在IEDM 2024上，英特爾還分享了其對未來先進封裝和晶體管微縮技術(shù)的愿景。為了滿足包括人工智能（AI）在內(nèi)的各類應(yīng)用需求，英特爾強調(diào)了三個關(guān)鍵點：先進內(nèi)存集成、混合鍵合優(yōu)化互連帶寬以及模塊化系統(tǒng)及其連接解決方案。這些技術(shù)將共同推動AI在未來十年朝著更高能效的方向發(fā)展。
其中，先進內(nèi)存集成旨在消除容量、帶寬和延遲的瓶頸，為AI應(yīng)用提供更加高效的數(shù)據(jù)處理能力?；旌湘I合技術(shù)則通過優(yōu)化互連帶寬，進一步提升了系統(tǒng)的整體性能。而模塊化系統(tǒng)及其連接解決方案，則為構(gòu)建更加靈活、可擴展的系統(tǒng)架構(gòu)提供了新的思路。
