【ITBEAR】臺積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域再次取得顯著進(jìn)展，成功在2nm制程上實(shí)現(xiàn)突破，引入創(chuàng)新的GAAFET晶體管技術(shù)。此項(xiàng)技術(shù)結(jié)合NanoFlex特性，為芯片設(shè)計(jì)帶來全新靈活性。
相較于N3E工藝，N2工藝在維持相同功率時，性能可提升10-15%，或在同頻率下降低功耗達(dá)25-30%。更令人注目的是，其晶體管密度增加了15%，標(biāo)志著技術(shù)上的重大跨越。
然而，技術(shù)進(jìn)步帶來成本上升。預(yù)計(jì)每片300mm的2nm晶圓價(jià)格或超3萬美元，顯著高于現(xiàn)有3nm和4/5nm晶圓的價(jià)格。
為滿足市場對2nm工藝的強(qiáng)烈需求，臺積電計(jì)劃在中國臺灣多地?cái)U(kuò)建新廠。同時，新工藝將采用更多EUV光刻步驟，甚至可能引入雙重曝光，進(jìn)一步推高生產(chǎn)成本。
臺積電已定于2025年下半年開始批量生產(chǎn)，并預(yù)計(jì)最快于2026年向客戶交付N2工藝芯片。業(yè)界普遍預(yù)期，科技巨頭蘋果有望成為首個采用該先進(jìn)工藝的客戶。
