【ITBEAR】臺(tái)積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域再次取得顯著進(jìn)展，成功在2nm制程上實(shí)現(xiàn)突破，引入創(chuàng)新的GAAFET晶體管技術(shù)。此項(xiàng)技術(shù)結(jié)合NanoFlex特性，為芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)全新層面的靈活度。
與目前的N3E工藝相比，N2工藝有望在維持相同功耗的同時(shí)，提升10%至15%的性能，或在相同運(yùn)行頻率下降低25%至30%的能耗。晶體管密度的15%提升標(biāo)志著行業(yè)內(nèi)的重大進(jìn)步。
然而，技術(shù)突破的背后伴隨著成本的上升。據(jù)預(yù)測(cè)，2nm晶圓的價(jià)格可能超過(guò)3萬(wàn)美元，顯著高于當(dāng)前3nm和4/5nm晶圓的價(jià)格。臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，計(jì)劃在中國(guó)臺(tái)灣多地?cái)U(kuò)建2nm晶圓廠。
隨著新工藝的引入，生產(chǎn)成本因更多的EUV光刻步驟而增加，可能采用的雙重曝光技術(shù)進(jìn)一步推高了成本。盡管如此，臺(tái)積電仍堅(jiān)定推進(jìn)N2工藝，并計(jì)劃于2025年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)最快2026年向客戶(hù)交付采用該工藝的芯片，其中蘋(píng)果有望成為首個(gè)采用該技術(shù)的客戶(hù)。
