【ITBEAR科技資訊】6月17日消息，據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，為滿足日益增長的HBM3E內(nèi)存需求，SK海力士正計(jì)劃大幅提升其1b nm制程DRAM內(nèi)存的產(chǎn)能。由于HBM內(nèi)存對DRAM裸片的消耗量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存，因此，SK海力士的這一舉措有望有效緩解當(dāng)前HBM內(nèi)存的供應(yīng)緊張狀況。
該公司已設(shè)定明確的生產(chǎn)目標(biāo)，即到今年年底，將1b nm內(nèi)存晶圓的投片量提升至9萬片，并預(yù)計(jì)在明年上半年進(jìn)一步增加至14~15萬片。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，SK海力士打算對其位于京畿道利川市的M16內(nèi)存晶圓廠進(jìn)行技術(shù)升級(jí)，引入1b nm生產(chǎn)工藝。
M16廠目前主要生產(chǎn)1y nm DRAM內(nèi)存。若全面轉(zhuǎn)型至1b nm生產(chǎn)，可能會(huì)使SK海力士的1y nm產(chǎn)能從現(xiàn)在的每月12萬片晶圓大幅減少到5萬片。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，SK海力士已向半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提出對M16晶圓廠進(jìn)行設(shè)備調(diào)整和改造的需求，并計(jì)劃引進(jìn)必要的沉積、光刻及蝕刻核心設(shè)備，以確保生產(chǎn)流程的順利進(jìn)行。
盡管受到之前存儲(chǔ)行業(yè)低迷期的影響，SK海力士在追加投資方面持謹(jǐn)慎態(tài)度，但近期相關(guān)訂單的增長已經(jīng)超出了上游設(shè)備廠商的初步預(yù)期，顯示出市場對HBM3E內(nèi)存的強(qiáng)勁需求。此外，公司還計(jì)劃在2025年11月完成新建的M15X DRAM內(nèi)存晶圓廠，相關(guān)設(shè)備的采購訂單預(yù)計(jì)將在2025年初陸續(xù)下達(dá)。這一系列舉措充分展現(xiàn)了SK海力士在DRAM內(nèi)存市場的雄心壯志及其對未來技術(shù)發(fā)展的高度期許。
