【ITBEAR科技資訊】2月27日消息，三星電子近日正式發(fā)布了旗下首款12層堆疊的HBM3E DRAM，命名為HBM3E 12H。這款產(chǎn)品刷新了三星HBM產(chǎn)品的容量上限，成為該公司迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
HBM3E 12H的最大亮點(diǎn)在于其帶寬和容量的顯著提升。據(jù)悉，該產(chǎn)品的全天候最高帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，同時(shí)產(chǎn)品容量也高達(dá)36GB。與三星先前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度均超過了50%，這一突破性的提升無疑將為用戶帶來更為出色的性能體驗(yàn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，當(dāng)前的人工智能服務(wù)供應(yīng)商對更高容量的HBM需求日益迫切。對此，三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示：“我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H正是為了滿足這種不斷增長的需求而設(shè)計(jì)的。這款全新的存儲解決方案不僅展示了我們在多層堆疊HBM核心技術(shù)研發(fā)方面的實(shí)力，也進(jìn)一步鞏固了我們在人工智能時(shí)代高容量HBM市場的技術(shù)領(lǐng)先地位?！?/p>
為了實(shí)現(xiàn)這一突破性的產(chǎn)品性能，三星在HBM3E 12H的研發(fā)過程中采用了創(chuàng)新的熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使得12層堆疊的產(chǎn)品在高度上與8層堆疊產(chǎn)品保持一致，從而滿足了當(dāng)前HBM封裝的要求。此外，通過不斷降低非導(dǎo)電薄膜(NCF)材料的厚度以及實(shí)現(xiàn)芯片之間間隙的最小化，三星成功地將HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度提高了20%以上。
三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù)還通過優(yōu)化芯片之間的凸塊尺寸來改善HBM的熱性能。在芯片鍵合過程中，較小尺寸的凸塊被用于信號傳輸區(qū)域，而較大尺寸的凸塊則被放置在需要散熱的區(qū)域，這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)有助于提高產(chǎn)品的良率和可靠性。
據(jù)三星電子介紹，搭載HBM3E 12H的人工智能應(yīng)用預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)平均訓(xùn)練速度提升34%的顯著效果，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也將增加超過11.5倍。這一性能提升將為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的動力。
目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計(jì)劃于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。隨著這款高性能HBM產(chǎn)品的推出，三星有望在人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)一步拓展其市場份額。
