【ITBEAR科技資訊】2月27日消息，三星電子近日正式發(fā)布了旗下首款12層堆疊的HBM3E DRAM，命名為HBM3E 12H。這款產(chǎn)品刷新了三星HBM產(chǎn)品的容量上限，成為該公司迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
HBM3E 12H的最大亮點在于其帶寬和容量的顯著提升。據(jù)悉，該產(chǎn)品的全天候最高帶寬可達到驚人的1280GB/s，同時產(chǎn)品容量也高達36GB。與三星先前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度均超過了50%，這一突破性的提升無疑將為用戶帶來更為出色的性能體驗。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，當前的人工智能服務供應商對更高容量的HBM需求日益迫切。對此，三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示：“我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H正是為了滿足這種不斷增長的需求而設計的。這款全新的存儲解決方案不僅展示了我們在多層堆疊HBM核心技術研發(fā)方面的實力，也進一步鞏固了我們在人工智能時代高容量HBM市場的技術領先地位?！?/p>
為了實現(xiàn)這一突破性的產(chǎn)品性能，三星在HBM3E 12H的研發(fā)過程中采用了創(chuàng)新的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術。這項技術使得12層堆疊的產(chǎn)品在高度上與8層堆疊產(chǎn)品保持一致，從而滿足了當前HBM封裝的要求。此外，通過不斷降低非導電薄膜(NCF)材料的厚度以及實現(xiàn)芯片之間間隙的最小化，三星成功地將HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度提高了20%以上。
三星的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過優(yōu)化芯片之間的凸塊尺寸來改善HBM的熱性能。在芯片鍵合過程中，較小尺寸的凸塊被用于信號傳輸區(qū)域，而較大尺寸的凸塊則被放置在需要散熱的區(qū)域，這種獨特的設計有助于提高產(chǎn)品的良率和可靠性。
據(jù)三星電子介紹，搭載HBM3E 12H的人工智能應用預計將實現(xiàn)平均訓練速度提升34%的顯著效果，同時推理服務用戶數(shù)量也將增加超過11.5倍。這一性能提升將為人工智能領域的發(fā)展注入新的動力。
目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計劃于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。隨著這款高性能HBM產(chǎn)品的推出，三星有望在人工智能和高性能計算領域進一步拓展其市場份額。
