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高帶寬存儲器技術(shù)崛起:三星和美光積極擴(kuò)大產(chǎn)能

   時(shí)間:2023-11-08 10:36:48 來源:ITBEAR編輯:瑞雪 發(fā)表評論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】11月8日消息,近日,面對消費(fèi)級存儲市場低迷,高帶寬存儲器(HBM)技術(shù)嶄露頭角,據(jù)最新報(bào)告,三星和美光兩家知名公司正積極籌備擴(kuò)展HBM DRAM產(chǎn)能,為未來的技術(shù)挑戰(zhàn)和市場需求做好準(zhǔn)備。

三星電子不遺余力,投入了105億韓元,完成了對其位于韓國天安市的工廠和設(shè)備的一輪收購,旨在擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。此外,三星計(jì)劃再投資7000億至1萬億韓元,用于新建封裝線,加強(qiáng)其HBM生產(chǎn)能力。據(jù)了解,三星電子已經(jīng)成功開發(fā)出速度達(dá)9.8Gbps的HBM3E,并計(jì)劃開始向客戶提供樣品,這標(biāo)志著他們在HBM領(lǐng)域的積極發(fā)展。而更令人期待的是,三星電子正在全力開發(fā)HBM4技術(shù),計(jì)劃在2025年正式發(fā)布。HBM4的研發(fā)涵蓋多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域,包括高溫?zé)崽匦院突旌湘I合(HCB)優(yōu)化的非導(dǎo)電膠膜(NCF)組裝技術(shù)等,以應(yīng)對未來市場需求。

美光也在積極擴(kuò)大HBM生產(chǎn),于11月6日在臺中設(shè)立了新工廠,該設(shè)施將集成先進(jìn)的測試和封裝功能,并專注于大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E和其他相關(guān)產(chǎn)品。美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露,他們計(jì)劃在2024年初開始大規(guī)模出貨HBM3E,這一技術(shù)目前正在接受NVIDIA的認(rèn)證,初期產(chǎn)品將采用8-Hi堆棧設(shè)計(jì),容量達(dá)到24GB,帶寬超過1.2TB/s。而更大容量的36GB 12-Hi堆棧HBM3E也計(jì)劃在2024年推出,美光預(yù)計(jì)新的HBM技術(shù)將在2024年為公司貢獻(xiàn)“數(shù)億美元”的收入,展現(xiàn)出市場前景的廣闊?!綢TBEAR科技資訊】根據(jù)市場趨勢,HBM技術(shù)將成為存儲行業(yè)的重要驅(qū)動力,同時(shí)也將滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算和云服務(wù)等不斷增長的應(yīng)用需求。

標(biāo)簽: HBM
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