【ITBEAR科技資訊】5月6日消息，據(jù)Intel官方消息，該公司將在2021年至2024年期間陸續(xù)投產(chǎn)7nm、4nm、3nm、20A、18A等五代工藝節(jié)點。其中，20A和18A將邁入埃米時代，相當于2nm和1.8nm，這將使Intel與臺積電并駕齊驅，甚至實現(xiàn)反超。
Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管等全新技術。通過PowerVia技術，Intel將把傳統(tǒng)位于芯片正面的供電層轉移到芯片背面，并通過一系列TSV硅穿孔為芯片供電。這種技術可以大大降低供電噪聲和電阻損耗，優(yōu)化供電分布，提高整體能效。而RibbonFET技術則可以提高晶體管的性能，從而提高芯片的整體性能。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，首次展示PowerVia技術。不過，展示的并不是20A工藝，而是基于Intel 4工藝的一顆測試芯片，架構為E核心。這顆核心的面積僅為2.9平方毫米，得益于PowerVia技術，大部分區(qū)域的標準單元利用率都超過了90%。同時，PowerVia技術還帶來了超過5%的頻率提升，吞吐時間略高但可以接受，功耗發(fā)熱情況符合預期。
除了用于自家產(chǎn)品，Intel還將為客戶代工使用PowerVia技術。這也是Intel提前展示其能力的原因之一。Intel一直在積極推進新一代工藝節(jié)點的研發(fā)和投產(chǎn)，而PowerVia技術的引入為芯片的供電層提供了全新的解決方案，為未來的芯片性能提供更多的可能性。
