【ITBEAR科技資訊】5月5日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子計(jì)劃在未來五年內(nèi)在芯片代工領(lǐng)域超越其主要競爭對手臺積電。雖然三星電子已經(jīng)開始量產(chǎn)3納米芯片，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)3納米芯片代工的公司，但在市場份額上仍然落后于長期占據(jù)超過50%市場份額的臺積電。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi表示，三星需要五年時(shí)間才能趕上并超過臺積電。三星電子計(jì)劃通過采用更先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù)來縮小與臺積電的技術(shù)差距，以期在下一代2納米制程工藝上超越臺積電。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星電子正在與全球最大的代工企業(yè)臺積電競爭。臺積電早已確立了自己作為全球領(lǐng)先代工芯片制造商的地位。然而，三星電子正致力于在芯片代工制造領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，三星電子已經(jīng)率先量產(chǎn)3納米芯片，采用更先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù)，而不是鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，這是全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)3納米芯片代工的公司。
據(jù)三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi表示，雖然三星電子在先進(jìn)制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上基本能跟上臺積電的節(jié)奏，但是它在代工市場上的份額與臺積電相比仍有明顯差距。因此，三星電子計(jì)劃通過在3納米制程工藝上采用GAA晶體管，縮小與臺積電的技術(shù)差距。該公司認(rèn)為，隨著它和臺積電推出下一代2納米制程工藝，它可以在未來五年內(nèi)超過臺積電。
