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三星電子推出3nm GAA晶體管芯片 迎頭趕上臺(tái)積電

   時(shí)間:2023-05-05 09:47:51 來源:ITBEAR編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】5月5日消息,據(jù)報(bào)道,三星電子正在努力在芯片制造領(lǐng)域追趕臺(tái)積電的領(lǐng)先地位。在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)舉行的一次主題演講中,三星設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)部芯片合同制造總經(jīng)理Siyoung Choi表示,目前臺(tái)積電在芯片制造方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于三星,但使用Gate All Around(GAA)技術(shù)至關(guān)重要。三星正在推出采用3nm工藝技術(shù)的GAA晶體管芯片,而臺(tái)積電則依賴成熟的FinFET。三星計(jì)劃通過這一技術(shù)彌合自身與臺(tái)積電之間的技術(shù)差距,據(jù)ITBEAR科技資訊了解。

Siyoung Choi還指出,三星目前的4nm技術(shù)比臺(tái)積電落后大約兩年,3nm技術(shù)落后大約一年,但當(dāng)臺(tái)積電轉(zhuǎn)向2nm時(shí),這種情況將會(huì)改變。相比之下,臺(tái)積電計(jì)劃使用2nm的GAA技術(shù),這將使得趕超臺(tái)積電變得更加困難。不過,三星正在與多家知名公司合作,這些客戶對(duì)三星的3nm GAA工藝贊不絕口。

此外,臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)美國(guó)制造的芯片收取比臺(tái)灣制造的芯片高出30%的費(fèi)用,這可能導(dǎo)致臺(tái)積電在美國(guó)制造的4納米和5納米產(chǎn)品價(jià)格上漲20%至30%。不過,三星電子有機(jī)會(huì)從中受益,因?yàn)樵诿绹?guó)建造晶圓廠的成本正在膨脹,三星有機(jī)會(huì)吸引更多的客戶選擇其代工業(yè)務(wù)。

總體而言,三星電子正在努力迎頭趕上臺(tái)積電,通過推出采用最新技術(shù)的芯片,吸引更多的客戶選擇其代工業(yè)務(wù),進(jìn)一步提升公司的市場(chǎng)份額。而臺(tái)積電則面臨著在美國(guó)建造晶圓廠成本高企的挑戰(zhàn),這可能導(dǎo)致其在美國(guó)制造的芯片價(jià)格上漲,給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手帶來機(jī)會(huì)。

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