【ITBEAR科技資訊】5月5日消息，據(jù)報道，三星電子正在努力在芯片制造領域追趕臺積電的領先地位。在韓國科學技術研究院(KAIST)舉行的一次主題演講中，三星設備解決方案業(yè)務部芯片合同制造總經(jīng)理Siyoung Choi表示，目前臺積電在芯片制造方面遠遠領先于三星，但使用Gate All Around(GAA)技術至關重要。三星正在推出采用3nm工藝技術的GAA晶體管芯片，而臺積電則依賴成熟的FinFET。三星計劃通過這一技術彌合自身與臺積電之間的技術差距，據(jù)ITBEAR科技資訊了解。
Siyoung Choi還指出，三星目前的4nm技術比臺積電落后大約兩年，3nm技術落后大約一年，但當臺積電轉向2nm時，這種情況將會改變。相比之下，臺積電計劃使用2nm的GAA技術，這將使得趕超臺積電變得更加困難。不過，三星正在與多家知名公司合作，這些客戶對三星的3nm GAA工藝贊不絕口。
此外，臺積電計劃對美國制造的芯片收取比臺灣制造的芯片高出30%的費用，這可能導致臺積電在美國制造的4納米和5納米產(chǎn)品價格上漲20%至30%。不過，三星電子有機會從中受益，因為在美國建造晶圓廠的成本正在膨脹，三星有機會吸引更多的客戶選擇其代工業(yè)務。
總體而言，三星電子正在努力迎頭趕上臺積電，通過推出采用最新技術的芯片，吸引更多的客戶選擇其代工業(yè)務，進一步提升公司的市場份額。而臺積電則面臨著在美國建造晶圓廠成本高企的挑戰(zhàn)，這可能導致其在美國制造的芯片價格上漲，給競爭對手帶來機會。
