【ITBEAR科技資訊】3月13日消息，近日，據(jù)韓國半導(dǎo)體業(yè)界消息，三星電子和SK海力士的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人在一次會議上表示，他們將會加速推進(jìn)3D DRAM商業(yè)化，以克服DRAM的物理局限性。他們認(rèn)為，3D DRAM是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。
目前，全球的DRAM巨頭們都在推進(jìn)3D DRAM的商業(yè)化進(jìn)程，但遠(yuǎn)不及美光公司。據(jù)悉，自2019年開始研究3D DRAM的美光公司已經(jīng)獲得了兩家韓國公司的兩到三倍的專利數(shù)量。
在首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上，三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室室長李鐘明表示，制造10nm或更先進(jìn)芯片的小型芯片將為制造商帶來巨大挑戰(zhàn)，3D DRAM是克服這種挑戰(zhàn)的方法。
而負(fù)責(zé)SK海力士未來技術(shù)研究所的副總經(jīng)理車善龍也表示，他們將于明年公開3D DRAM的電子特性細(xì)節(jié)，以確定開發(fā)方向。
相比現(xiàn)有的DRAM市場，目前還沒有絕對的領(lǐng)導(dǎo)者，因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。據(jù)了解，隨著人工智能應(yīng)用產(chǎn)品的活躍，對高性能、大容量存儲半導(dǎo)體的需求也在不斷增加。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星電子和SK海力士今年實現(xiàn)量產(chǎn)的高端DRAM線寬為12納米。業(yè)界認(rèn)為，考慮到目前DRAM線寬微縮至1納米將面臨的情況，新型DRAM商品化在3到4年后將會是一種必然，而不是一種方向。
可以預(yù)見，隨著三星電子和SK海力士開始加速3D DRAM技術(shù)的商用化，未來將會有更多廠商推出類似的技術(shù)方案和產(chǎn)品，市場競爭將會更加激烈。
