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三星電子和SK海力士加速推進(jìn)3D DRAM商業(yè)化,以克服DRAM物理局限性

   時(shí)間:2023-03-13 11:53:33 來(lái)源:ITBEAR編輯:茹茹 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

【ITBEAR科技資訊】3月13日消息,近日,據(jù)韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界消息,三星電子和SK海力士的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人在一次會(huì)議上表示,他們將會(huì)加速推進(jìn)3D DRAM商業(yè)化,以克服DRAM的物理局限性。他們認(rèn)為,3D DRAM是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力。

目前,全球的DRAM巨頭們都在推進(jìn)3D DRAM的商業(yè)化進(jìn)程,但遠(yuǎn)不及美光公司。據(jù)悉,自2019年開(kāi)始研究3D DRAM的美光公司已經(jīng)獲得了兩家韓國(guó)公司的兩到三倍的專利數(shù)量。

在首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上,三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室室長(zhǎng)李鐘明表示,制造10nm或更先進(jìn)芯片的小型芯片將為制造商帶來(lái)巨大挑戰(zhàn),3D DRAM是克服這種挑戰(zhàn)的方法。

而負(fù)責(zé)SK海力士未來(lái)技術(shù)研究所的副總經(jīng)理車善龍也表示,他們將于明年公開(kāi)3D DRAM的電子特性細(xì)節(jié),以確定開(kāi)發(fā)方向。

相比現(xiàn)有的DRAM市場(chǎng),目前還沒(méi)有絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)者,因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。據(jù)了解,隨著人工智能應(yīng)用產(chǎn)品的活躍,對(duì)高性能、大容量存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求也在不斷增加。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解,三星電子和SK海力士今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的高端DRAM線寬為12納米。業(yè)界認(rèn)為,考慮到目前DRAM線寬微縮至1納米將面臨的情況,新型DRAM商品化在3到4年后將會(huì)是一種必然,而不是一種方向。

可以預(yù)見(jiàn),隨著三星電子和SK海力士開(kāi)始加速3D DRAM技術(shù)的商用化,未來(lái)將會(huì)有更多廠商推出類似的技術(shù)方案和產(chǎn)品,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)更加激烈。

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