12 月 23 日消息，美國(guó)最大存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周三宣布，公司將在 2023 年裁員大約 10%，并停發(fā)獎(jiǎng)金。這再次表明，科技行業(yè)的增長(zhǎng)放緩正在影響就業(yè)。
作為減少資本支出的一部分，消息稱(chēng)美光將使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推遲到 2025 年，232 層之后的 NAND 節(jié)點(diǎn)也被推遲。
美光 1γ 制造技術(shù)中原定于 2024 年的某個(gè)時(shí)候推出，但因?yàn)槊拦獗仨氃?2023 和 2024 財(cái)年減少新設(shè)備的支出，并減少 DRAM bit 出貨量，它將不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技術(shù)上的增長(zhǎng)速度。
IT之家了解到，該公司最新的 1β 制造節(jié)點(diǎn) —— bit 密度提高了 35%，電源效率提高了 15%，不過(guò)這一技術(shù)依然依賴(lài)于深紫外線(DUV )光刻技術(shù)。
相比之下，三星和 SK 海力士已經(jīng)在其第 4 代 10nm 級(jí)存儲(chǔ)技術(shù)(1α、1-alpha)中的多個(gè)層使用 EUV 光刻技術(shù)，并計(jì)劃進(jìn)一步強(qiáng)化其在第 5 代 10nm 級(jí) DRAM 節(jié)點(diǎn)中的使用。
“鑒于我們決定放慢 1β(1-Beta)DRAM 的生產(chǎn)速度，我們預(yù)計(jì)我們的 1γ(1-gamma)技術(shù)將在 2025 年推出，”美光稱(chēng) “同樣，我們將推遲 232 層 3D NAND 存儲(chǔ)器以外的下一個(gè) NAND 節(jié)點(diǎn)， 以適應(yīng)新的需求前景和所需的供應(yīng)增長(zhǎng)?！?/p>
