時間來到九月，有關下一代旗艦芯片的消息陸續(xù)浮出水面。近日就有多位知名數碼博主先后爆料稱，下一代天璣5G旗艦芯片將采用目前最強的臺積電4nm制程，同時采用Arm V9架構，硬件規(guī)格達到頂級旗艦水準，瞬間引來了一波業(yè)內的強烈關注，而這背后，或許也夾雜著今年“5nm發(fā)熱”的一種種遺憾。
有業(yè)內人士認為，憑借爆料中提到的臺積電4nm與Arm V9這對黃金組合，下一代天璣旗艦芯片將是明年移動芯片性能和功耗的“天花板”。同時手握這兩張王牌的聯(lián)發(fā)科，將在2022年的旗艦芯片競爭中獲得明顯優(yōu)勢。
傳聞下一代天璣旗艦將采用臺積電4nm制程+Arm V9架構(圖/網絡)
功耗定海神針+性能屠龍刀，2022旗艦芯片戰(zhàn)力新標準
今年因為缺芯而略顯沉寂的旗艦機市場預計將在明年迎來大爆發(fā)。全新的4nm制程和Arm V9架構等技術革新，也會讓各大手機廠商的競爭更加激烈。眾所周知，接下來4nm制程芯片的產能主要由臺積電和三星提供，而相比起三星4nm制程，業(yè)內普遍認為臺積電4nm制程在功耗、發(fā)熱方面均有明顯優(yōu)勢，是旗艦手機芯片功耗的“定海神針”。
如果說臺積電4nm是2022年旗艦機功耗的“定海神針”，那么Arm V9架構就是旗艦機性能的“屠龍寶刀”。相比前代，采用Arm V9架構的芯片在整體運行速度、AI性能、安全性等方面均有明顯地提升。臺積電4nm制程帶來的功耗表現(xiàn)，正是發(fā)揮好Arm V9架構性能優(yōu)勢的重要前提，兩者相輔相成，缺一不可。
Arm V9架構相比前代提升明顯，多方面性能得到升級(圖/網絡)
手握臺積電4nm與Arm V9架構，讓“定海神針”疊加“屠龍寶刀”的威力，讓聯(lián)發(fā)科有底氣打造出擁有強勁戰(zhàn)力的頂級旗艦芯片，成就下一代天璣旗艦芯片在功耗和性能方面的優(yōu)異表現(xiàn)。憑借臺積電4nm制程與Arm V9架構黃金組合帶來的性能和功耗優(yōu)勢，聯(lián)發(fā)科有望在旗艦芯片市場實現(xiàn)彎道超車。
踏準制程節(jié)奏，集合先進技術，彎道超車戰(zhàn)略大成
從追趕到超越，我們可以看到聯(lián)發(fā)科在高端市場的底氣是越來越足了，而這樣的底氣自然離不開聯(lián)發(fā)科對先進技術的不懈追求?；仡櫧衲甑氖謾C市場，天璣6nm制程芯片組合在三星5nm工藝功耗翻車的大環(huán)境下，憑借臺積電6nm制程的出色表現(xiàn)，獲得了眾多終端廠商的青睞，助推天璣系列芯片的銷量起飛。
得益于此，天璣系列芯片的市場成績也一路高歌猛進，憑借豐富的產品組合，聯(lián)發(fā)科在2021年上半年再次交出亮眼的成績單。根據市場研究機構Counterpoint近期公布的全球智能手機AP(應用處理器)芯片市場份額的數據顯示，聯(lián)發(fā)科在2021年第二季度手機芯片市場的占有率高達38%，連續(xù)四個季度奪得第一。
Counterpoint報告顯示，聯(lián)發(fā)科的市場占有率連續(xù)四季度蟬聯(lián)第一(圖/網絡)
正是對芯片領域的深刻洞察，聯(lián)發(fā)科得以踏準技術和制程節(jié)奏，最終再次取得驕人的銷售成績。半導體圈內有預測，聯(lián)發(fā)科2022年上半年或將主打臺積電4nm+6nm組合，明顯勝于三星的4nm+5nm組合，2021年“6nm>5nm”，2022年“4nm(TSMC)>4nm”，聯(lián)發(fā)科的手里一直有張好牌。
據悉，下一代天璣5G旗艦芯片將于年底亮相，終端旗艦手機也將于明年一季度陸續(xù)上市。不久后的聯(lián)發(fā)科將在旗艦芯片市場發(fā)起又一波強勢沖擊，將為明年旗艦機市場帶來怎樣的活力，著實讓人期待。
