近年來，伴隨著5G基站、新能源汽車等行業(yè)的發(fā)展，全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)角逐已經(jīng)開啟，而且第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義重大，也是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突破口?；诖?，為推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，華微電子在堅(jiān)持生產(chǎn)一代、研發(fā)一代的同時(shí)，積極布局第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造，助力我國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車。
國(guó)家計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進(jìn)目前正在制定的十四五規(guī)劃中，必將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用技術(shù)的大力發(fā)展。華微電子表示，第三代半導(dǎo)體技術(shù)，我國(guó)與國(guó)外在技術(shù)上差距小，大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體能夠使我們具有擁有和國(guó)際巨頭齊頭并進(jìn)和換道超車的條件。
而且在過去的兩年，受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等因素，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，涌現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料投資熱潮。
不過，第三代半導(dǎo)體并非是在第一代、第二代半導(dǎo)體的技術(shù)上進(jìn)行一種簡(jiǎn)單的迭代，而是一個(gè)全新的技術(shù)架構(gòu)。這要求真正有能力、有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)能夠沉淀下來去做這件事。
因此，在過去的半個(gè)多世紀(jì)中，華微電子持續(xù)突破諸多關(guān)鍵技術(shù)，加速推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的國(guó)產(chǎn)化替代，助力我國(guó)工業(yè)強(qiáng)基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展，成為具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體企業(yè)。
最大的瓶頸是原材料。華微電子表示，我國(guó)原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解;另外相關(guān)材料制備的關(guān)鍵設(shè)備依靠進(jìn)口;SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國(guó)外相比水平還有差距;其應(yīng)用技術(shù)的研究比較關(guān)鍵，若相關(guān)配套技術(shù)及產(chǎn)品跟不上，第三代半導(dǎo)體的材料及器件的作用和效率可能會(huì)發(fā)揮不好。
作為首家國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域上市公司，華微電子堅(jiān)持生產(chǎn)一代、儲(chǔ)備一代、研發(fā)一代的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略，早已積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造。
目前SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示，下一步，將進(jìn)一步發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢(shì)，集中精力研究三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)，完善相關(guān)生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力，為消費(fèi)類、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供優(yōu)異的三代半導(dǎo)體電力電子器件。
接下來，第三代半導(dǎo)體將與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補(bǔ)發(fā)展，對(duì)節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、催生新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)發(fā)揮重要作用。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，在國(guó)家全面推行中國(guó)智造大背景下，人工智能、新能源汽車、5G通信等越來越受到重視，第三代半導(dǎo)體材料受益于這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，將邁進(jìn)發(fā)展快車道，同時(shí)，以華微電子為代表的半導(dǎo)體企業(yè)也將獲得長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。
