近期，半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的熱議話題聚焦于ASML首席執(zhí)行官的言論，其指出由于美國對向中國出口EUV光刻機(jī)的限制，中國芯片制造技術(shù)相較于西方落后約10至15年。然而，這一觀點(diǎn)在公眾中引發(fā)了廣泛的爭議和質(zhì)疑。
實(shí)際上，若從芯片技術(shù)的演進(jìn)脈絡(luò)來看，這一差距的評估并非毫無根據(jù)。目前，臺積電已實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的量產(chǎn)，并即將步入2nm時代。相比之下，中國對外公布的最先進(jìn)制程技術(shù)仍停留在14nm水平，而內(nèi)部可能已接近7nm階段。若以此為基準(zhǔn)，要達(dá)到2nm水平，確實(shí)需要相當(dāng)長的時間，ASML的評估在某種程度上反映了這一現(xiàn)實(shí)。
然而，值得注意的是，全球芯片市場的需求并不完全依賴于最前沿的工藝。實(shí)際上，成熟工藝芯片占據(jù)了市場的絕大部分份額。根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，到2024年，28nm及以上成熟工藝芯片將占全球總產(chǎn)量的75%以上，而14nm及以上工藝芯片的比例更是高達(dá)85%。換言之，只要掌握了7nm或更高工藝，就能滿足全球90%以上的芯片制造需求。
在此背景下，中國芯片制造業(yè)的實(shí)際水平顯得尤為關(guān)鍵。盡管在尖端技術(shù)方面存在差距，但中國已具備了生產(chǎn)全球絕大多數(shù)所需芯片的能力。特別是在成熟工藝領(lǐng)域，中國的實(shí)力正在不斷增強(qiáng)，這在一定程度上緩解了外界對于技術(shù)落后的擔(dān)憂。
對于那些極少數(shù)需要采用先進(jìn)工藝的芯片，如手機(jī)SoC、AI芯片等，也并非無法替代。通過采用更成熟的工藝結(jié)合先進(jìn)的封裝和堆疊技術(shù)，同樣可以實(shí)現(xiàn)出色的性能表現(xiàn)，從而縮小與尖端技術(shù)的差距。
因此，面對外界的種種言論和市場的不斷變化，中國芯片產(chǎn)業(yè)應(yīng)保持冷靜和定力。無需過分焦慮于尖端技術(shù)的追趕，而應(yīng)更加注重提升自身在成熟工藝領(lǐng)域的競爭力。同時，也要堅持自主創(chuàng)新和技術(shù)研發(fā)，逐步縮小與先進(jìn)國家的差距，最終實(shí)現(xiàn)芯片產(chǎn)業(yè)的全面崛起。
不僅如此，中國芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展已經(jīng)引起了全球的關(guān)注。特別是美國在意識到中國芯片產(chǎn)業(yè)的崛起對其構(gòu)成的潛在威脅后，開始采取一系列措施來限制中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而，這些舉措并未能阻擋中國芯片產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐。相反，它們激發(fā)了中國芯片產(chǎn)業(yè)更加堅定的自主創(chuàng)新決心和動力。
