浙江馳拓科技在國際微電子領(lǐng)域的頂級盛會上，公布了一項(xiàng)關(guān)于SOT-MRAM技術(shù)的重大突破，該成果成功克服了SOT-MRAM在大規(guī)模生產(chǎn)中的技術(shù)瓶頸。
馳拓科技的創(chuàng)新之處在于，他們首次提出了一種全新的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)特別適合于大規(guī)模生產(chǎn)。該設(shè)計(jì)巧妙地將MTJ置于兩個(gè)底部電極之間，并允許進(jìn)行過刻蝕，這一改變顯著增大了刻蝕窗口，進(jìn)而簡化了刻蝕工藝，降低了生產(chǎn)難度。
得益于這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)，SOT-MRAM器件在12英寸晶圓上的位元良率從原先的99.6%躍升至超過99.9%，滿足了大規(guī)模生產(chǎn)的嚴(yán)苛要求。該器件在性能上也表現(xiàn)出色，實(shí)現(xiàn)了2納秒的快速寫入速度，以及超過1萬億次的寫入/擦除操作次數(shù)（在測量時(shí)間范圍內(nèi)），并展現(xiàn)出持續(xù)微縮的潛力。
SOT-MRAM作為一種高性能的非易失存儲技術(shù)，因其納秒級的寫入速度和理論上無限次的擦寫次數(shù)，被視為未來可能替代CPU各級緩存的優(yōu)選方案。然而，傳統(tǒng)的器件制造工藝卻面臨著刻蝕良率低的難題，這嚴(yán)重阻礙了SOT-MRAM的大規(guī)模生產(chǎn)與應(yīng)用。
馳拓科技的這一突破性成果，不僅解決了SOT-MRAM在大規(guī)模生產(chǎn)中遇到的挑戰(zhàn)，更為非易失存儲技術(shù)的未來發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。這一創(chuàng)新不僅展示了中國在微電子領(lǐng)域的強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力，也為全球存儲技術(shù)的發(fā)展貢獻(xiàn)了寶貴的力量。
