拆解結(jié)果顯示，金百達的這款內(nèi)存芯片上印有自家標(biāo)識，表明其是在購買晶圓后自行進行封裝的。值得注意的是，內(nèi)存底部的編號風(fēng)格與長鑫存儲此前推出的DDR4產(chǎn)品存在相似之處，這不禁讓人聯(lián)想到兩者之間的潛在聯(lián)系。雖然金百達并不直接生產(chǎn)內(nèi)存芯片，但其通過自主封裝的方式，成功推出了具備競爭力的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。
目前，國內(nèi)能夠自主制造內(nèi)存芯片的企業(yè)僅有合肥長鑫存儲（CMXT）和福建晉華（JHICC）兩家。長鑫存儲在推出國產(chǎn)DDR4芯片后，持續(xù)加大研發(fā)力度，不僅在LPDDR5內(nèi)存領(lǐng)域取得了顯著成果，還在2023年底宣布了自主設(shè)計的LPDDR5內(nèi)存產(chǎn)品。在此背景下，長鑫存儲涉足DDR5內(nèi)存的研發(fā)也就顯得水到渠成。
從產(chǎn)品規(guī)格來看，金百達與光威推出的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品頗為相似。兩者均提供了16GB的單條容量，等效頻率為6000MHz，同時兼容Intel和AMD的主流平臺。在價格方面，兩者也均定價為499元一套，為消費者提供了性價比不錯的選擇。
然而，在細節(jié)方面，兩款產(chǎn)品仍存在差異。金百達的DDR5內(nèi)存時序表現(xiàn)更佳，電壓也更低，具體為CL36-36-36-80、1.35V。相比之下，光威的時序為CL36-40-40-96、1.4V。盡管光威在時序和電壓方面稍遜一籌，但其PMIC電源管理單元并未鎖頻，同時散熱硅脂和馬甲的設(shè)計也更為出色。這些特點使得光威的DDR5內(nèi)存可能具備更大的超頻潛力，用戶能夠輕松將其超頻至6400MHz或更高頻率，從而滿足更為嚴(yán)苛的性能需求。
