在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展浪潮中，臺(tái)積電即將邁入2nm工藝制程的新紀(jì)元，這一消息無疑為整個(gè)行業(yè)注入了新的活力。據(jù)最新動(dòng)態(tài)，臺(tái)積電高層已對(duì)外公布了2nm芯片的關(guān)鍵細(xì)節(jié)，標(biāo)志著其將正式告別FFET技術(shù)，轉(zhuǎn)而采用更為先進(jìn)的GAAFET晶體管技術(shù)。這一轉(zhuǎn)變，將使得晶體管的密度得以提升15%，從而在性能與功耗之間取得顯著的平衡。
具體而言，在保持同等功耗的前提下，采用2nm工藝制程的芯片將帶來15%的性能提升；反之，在性能保持不變的情況下，其功耗則可降低25%至35%左右。這一進(jìn)步，對(duì)于追求極致性能與能效比的芯片應(yīng)用而言，無疑是巨大的福音。
從3nm到2nm的跨越，不僅彰顯了臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的深厚積累，也反映了半導(dǎo)體行業(yè)在追求更小、更快、更節(jié)能道路上的不懈努力。要知道，隨著芯片制程的不斷推進(jìn)，每一點(diǎn)微小的進(jìn)步都意味著巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)與研發(fā)投入。因此，這次15%的性能提升與25%至35%的功耗降低，無疑是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展歷程中的又一重要里程碑。
然而，臺(tái)積電董事長魏家哲卻在此刻提出了一個(gè)更為深遠(yuǎn)的觀點(diǎn)：對(duì)于2nm芯片而言，工藝只是基礎(chǔ)，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。這一觀點(diǎn)的背后，是隨著芯片制程的不斷縮小，傳統(tǒng)封裝方式已無法滿足高性能、低功耗的需求。因此，堆疊、立體封裝以及小芯粒等先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為提升芯片性能、降低功耗的關(guān)鍵因素。
以臺(tái)積電的CoWos封裝技術(shù)為例，該技術(shù)通過將多個(gè)芯片集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了高密度的系統(tǒng)集成，成為當(dāng)前AI芯片領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。英偉達(dá)等高端AI芯片制造商紛紛采用這一技術(shù)，進(jìn)一步證明了先進(jìn)封裝在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要地位。
在此背景下，不少業(yè)內(nèi)人士開始關(guān)注中國在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，全球前十大封測(cè)企業(yè)中，有四家中國企業(yè)上榜，占據(jù)了約25%的市場(chǎng)份額。然而，盡管中國封裝企業(yè)在市場(chǎng)份額上表現(xiàn)出色，但多數(shù)仍集中在相對(duì)成熟的封裝技術(shù)上。對(duì)于CoWos等先進(jìn)封裝技術(shù)，中國封裝企業(yè)尚需加大研發(fā)投入，以實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
因此，對(duì)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，不僅要在芯片制造領(lǐng)域持續(xù)追趕，更要在先進(jìn)封裝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破。只有這樣，才能真正擺脫對(duì)國外的依賴，推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向更加獨(dú)立自主的發(fā)展道路。
