近期，美國(guó)工業(yè)和安全局（BIS）對(duì)《出口管理?xiàng)l例》進(jìn)行了重要修訂，將中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的140個(gè)相關(guān)實(shí)體列入了“實(shí)體清單”。這一舉措涉及多項(xiàng)監(jiān)管措施，主要聚焦于對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備、軟件工具以及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的新管制。
具體而言，BIS的新規(guī)定旨在加強(qiáng)對(duì)生產(chǎn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路所需設(shè)備的控制，同時(shí)限制開(kāi)發(fā)或生產(chǎn)這類(lèi)集成電路的軟件工具流通。高帶寬存儲(chǔ)器也受到了新的管制措施的影響。
面對(duì)美國(guó)的這一系列動(dòng)作，臺(tái)積電方面迅速作出回應(yīng)，表示公司一直嚴(yán)格遵守所有適用的法律和法規(guī)，包括出口管制法規(guī)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，這些事件對(duì)公司的財(cái)務(wù)影響目前仍在可控范圍內(nèi)。
與此同時(shí)，中國(guó)臺(tái)灣科學(xué)技術(shù)部門(mén)的官員吳誠(chéng)文透露，臺(tái)積電即將在明年量產(chǎn)2nm制程技術(shù)，并且已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)新一代制程。他進(jìn)一步表示，先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)將留在中國(guó)臺(tái)灣，但一旦研發(fā)成功，中國(guó)臺(tái)灣愿意將技術(shù)擴(kuò)散到友好地區(qū)，并協(xié)助其建立相關(guān)工廠(chǎng)。
吳誠(chéng)文的發(fā)言不僅展示了臺(tái)積電在技術(shù)研發(fā)上的決心，也體現(xiàn)了中國(guó)臺(tái)灣在半導(dǎo)體領(lǐng)域保持技術(shù)領(lǐng)先并尋求國(guó)際合作的態(tài)度。盡管面臨外部壓力，但臺(tái)積電及其背后的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)仍然致力于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展。
