【ITBEAR】SK海力士公司近期宣布，其全球首款321層1Tb TLC 4D NAND閃存已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。這款閃存不僅在存儲(chǔ)層級(jí)上達(dá)到了前所未有的高度，還在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。
與上一代238層NAND閃存相比，新款321層產(chǎn)品在數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能上分別實(shí)現(xiàn)了12%和13%的增長(zhǎng)。其數(shù)據(jù)讀取的能效也提高了超過(guò)10%，為用戶帶來(lái)更加高效、節(jié)能的使用體驗(yàn)。
SK海力士自2023年6月起便開(kāi)始供應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)上的頂級(jí)238層NAND閃存產(chǎn)品，并透露將于明年上半年正式推出321層產(chǎn)品，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。
在研發(fā)這款閃存的過(guò)程中，SK海力士的技術(shù)團(tuán)隊(duì)展現(xiàn)了卓越的創(chuàng)新實(shí)力。他們采用了“3-Plug”工藝技術(shù)，成功打破了堆疊層數(shù)的限制。該技術(shù)將復(fù)雜的通孔工藝流程分解為三個(gè)步驟，并通過(guò)后續(xù)的優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)三個(gè)通孔的電氣連接。為確保工藝的精確性和穩(wěn)定性，團(tuán)隊(duì)還開(kāi)發(fā)了低變形材料，并引入了先進(jìn)的通孔間自動(dòng)排列矯正技術(shù)。
SK海力士在開(kāi)發(fā)321層NAND閃存時(shí)，充分利用了上一代238層產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)平臺(tái)。通過(guò)優(yōu)化工藝流程和減少工藝變化，他們成功地將生產(chǎn)效率提高了59%，進(jìn)一步鞏固了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
