【ITBEAR】近日，韓媒曝光了三星電子在3nm工藝制程上的困境。據(jù)悉，三星的第1、2代3nm技術，即SF3E-3GAE與SF3-3GAP，其良率分別僅為60%和20%，遠未達到客戶期望的70%標準。這一現(xiàn)狀使得三星在先進制程市場的競爭中，難以與臺積電等對手抗衡，進而影響了其尖端邏輯工藝的投資回報。
三星DS部門作為具備IDM特質(zhì)的企業(yè)，其存儲器、系統(tǒng)LSI及Foundry業(yè)務本應形成互補優(yōu)勢。若自家設計的Exynos處理器能順利由Foundry制造，并得到市場認可，將有望吸引更多客戶采用三星的“交鑰匙”解決方案，包括邏輯代工、HBM內(nèi)存及先進封裝技術。然而，目前這一良性循環(huán)尚未實現(xiàn)，反而使三星半導體業(yè)務陷入危機。
業(yè)界預計，在即將到來的年度管理層調(diào)整中，三星電子DS部門或?qū)⒂瓉砀邔拥拇髶Q血。三大業(yè)務部門的負責人均面臨被替換的可能，且此次調(diào)整可能早于往年常規(guī)的12月初進行。
今年5月，三星已意外地在年中完成了DS部門總負責人的更替，由全永賢接替慶桂顯的職位。這一變動在當時便引發(fā)了業(yè)內(nèi)的廣泛關注。
