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臺(tái)積電美國(guó)工廠良率突破,超同類4%引關(guān)注!

   時(shí)間:2024-10-26 07:11:37 來源:ITBEAR編輯:快訊團(tuán)隊(duì) 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR】臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠建設(shè)迎來喜訊,其早期生產(chǎn)良率已超越臺(tái)灣同類工廠約4個(gè)百分點(diǎn),這一成就標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)的拓展取得重要突破。

臺(tái)積電美國(guó)部門負(fù)責(zé)人Rick Cassidy在網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上透露,鳳凰城晶圓廠當(dāng)前的良率水平顯著高于臺(tái)灣工廠,這對(duì)于曾面臨熟練工人短缺和安全挑戰(zhàn)的臺(tái)積電而言,無疑是一大利好。

良率作為半導(dǎo)體行業(yè)的核心指標(biāo),直接關(guān)系到芯片的生產(chǎn)成本和可用性。臺(tái)積電此前已在4月份成功利用4納米工藝技術(shù)進(jìn)行工程晶圓生產(chǎn),并獲得滿意結(jié)果。

臺(tái)積電計(jì)劃在亞利桑那州鳳凰城投資650億美元建設(shè)三座晶圓廠,美國(guó)政府已承諾提供66億美元補(bǔ)貼及稅收抵免和貸款支持。

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