【ITBEAR】當(dāng)前，中國芯片產(chǎn)業(yè)正面臨美國日益嚴(yán)峻的打壓，尤其是針對14nm及以下芯片制造工藝的限制。美國聯(lián)合日本、荷蘭，禁止向中國出售相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備，意圖鎖死中國邏輯芯片的進(jìn)步。
然而，面對重重壓力，中國并未屈服，反而在技術(shù)突破上取得了顯著進(jìn)展。據(jù)外媒分析，中國可能已經(jīng)掌握了7nm芯片制造工藝，這無疑是對外部封鎖的有力回應(yīng)。
盡管取得了7nm的突破，但向5nm、3nm等更先進(jìn)制程的邁進(jìn)仍面臨巨大挑戰(zhàn)，主要源于EUV光刻機(jī)及其配套設(shè)備的獲取難題?；诂F(xiàn)有設(shè)備和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)5nm芯片的生產(chǎn)在理論和實(shí)際上均存在巨大障礙，成本和良率問題尤為突出。
在此背景下，一種創(chuàng)新的思路浮出水面：利用7nm工藝實(shí)現(xiàn)3nm芯片的性能。這并非玩笑，而是通過優(yōu)化晶體管結(jié)構(gòu)、采用先進(jìn)封裝技術(shù)和新材料等手段，達(dá)到提升性能的目的。
實(shí)際上，現(xiàn)代芯片工藝的提升并不總是意味著制造工藝的物理縮小，而是更多地關(guān)注于晶體管密度的增加、性能的提升以及能耗的降低。
例如，通過采用3D晶體管結(jié)構(gòu)、層疊封裝等先進(jìn)技術(shù)，即使保持在7nm工藝，也有可能實(shí)現(xiàn)與3nm芯片相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>
新材料的應(yīng)用也為性能提升開辟了新路徑。碳基芯片、光電芯片等新技術(shù)的探索，為7nm工藝實(shí)現(xiàn)更高性能提供了可能。
面對芯片制造工藝接近物理極限的現(xiàn)狀，中國正積極探索非傳統(tǒng)路徑，通過技術(shù)創(chuàng)新尋求突破。利用現(xiàn)有7nm工藝實(shí)現(xiàn)3nm性能，正是這一思路的具體體現(xiàn)，且極有可能成為現(xiàn)實(shí)。
中國芯片產(chǎn)業(yè)在外部壓力下展現(xiàn)出了頑強(qiáng)的生命力，不僅在技術(shù)上取得了顯著進(jìn)展，還在探索創(chuàng)新路徑以突破現(xiàn)有限制。利用7nm工藝實(shí)現(xiàn)3nm性能，正是這一探索的重要方向。
