【ITBEAR】臺積電近日在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進展，成功在2nm制程上實現(xiàn)突破，并首次引入GAAFET晶體管技術(shù)。此項技術(shù)的運用，結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計帶來了更高的靈活性。
與現(xiàn)有的N3E工藝相比，N2工藝在維持相同功耗的條件下，性能可提升10%至15%，或在相同運行頻率下降低功耗25%至30%。更新工藝還使晶體管密度增加了15%，這無疑是臺積電技術(shù)實力的一次大展現(xiàn)。
然而，技術(shù)進步的同時，生產(chǎn)成本也隨之上升。據(jù)業(yè)界預(yù)測，臺積電2nm晶圓的單片價格可能將超過3萬美元，遠高于目前3nm晶圓的價格區(qū)間。盡管如此，市場對這一技術(shù)突破的期待仍然十分高漲。
從當前的市場趨勢來看，臺積電在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位進一步得到了鞏固，而2nm制程技術(shù)的成功研發(fā)，無疑將為公司未來的發(fā)展注入更強大的動力。
