【ITBEAR】臺(tái)積電近日在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，成功在2nm制程上實(shí)現(xiàn)突破，并首次引入GAAFET晶體管技術(shù)。此項(xiàng)技術(shù)的運(yùn)用，結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)了更高的靈活性。
與現(xiàn)有的N3E工藝相比，N2工藝在維持相同功耗的條件下，性能可提升10%至15%，或在相同運(yùn)行頻率下降低功耗25%至30%。更新工藝還使晶體管密度增加了15%，這無(wú)疑是臺(tái)積電技術(shù)實(shí)力的一次大展現(xiàn)。
然而，技術(shù)進(jìn)步的同時(shí)，生產(chǎn)成本也隨之上升。據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，臺(tái)積電2nm晶圓的單片價(jià)格可能將超過(guò)3萬(wàn)美元，遠(yuǎn)高于目前3nm晶圓的價(jià)格區(qū)間。盡管如此，市場(chǎng)對(duì)這一技術(shù)突破的期待仍然十分高漲。
從當(dāng)前的市場(chǎng)趨勢(shì)來(lái)看，臺(tái)積電在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位進(jìn)一步得到了鞏固，而2nm制程技術(shù)的成功研發(fā)，無(wú)疑將為公司未來(lái)的發(fā)展注入更強(qiáng)大的動(dòng)力。
