【ITBEAR】9月4日消息，近期，全球芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域面臨挑戰(zhàn)，隨著芯片尺寸持續(xù)增大，其制造過程的復(fù)雜性亦隨之攀升。在此背景下，業(yè)內(nèi)巨頭NVIDIA亦未能幸免。據(jù)悉，該公司旗下采用臺(tái)積電4nm工藝的Blackwell芯片，擁有驚人的2080億個(gè)晶體管，但因封裝技術(shù)過于復(fù)雜而遭遇良率困擾。
針對(duì)上述問題，NVIDIA已著手對(duì)GPU芯片的頂部金屬層及凸點(diǎn)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。此項(xiàng)調(diào)整不僅波及AI芯片領(lǐng)域，更對(duì)備受期待的RTX 50系列顯卡產(chǎn)生影響。據(jù)ITBEAR了解，GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層與主基板間的熱膨脹系數(shù)不匹配問題，已成為導(dǎo)致芯片翹曲及潛在系統(tǒng)故障的風(fēng)險(xiǎn)因素。
盡管CoWoS-L封裝技術(shù)能提供高達(dá)10TBs的驚人傳輸速度，但其對(duì)封裝精度的嚴(yán)苛要求亦帶來不小挑戰(zhàn)。即便是最微小的瑕疵，也可能導(dǎo)致價(jià)值連城的芯片淪為廢品。最新供應(yīng)鏈消息透露，為提升良率，NVIDIA已決定進(jìn)行重新流片（RTO），這一舉措將導(dǎo)致RTX 50系列顯卡的上市時(shí)間被迫推遲，盡管具體發(fā)布日期尚未明確。
