【ITBEAR】9月3日消息，韓國科技巨頭三星電子與SK海力士正聯(lián)手引領(lǐng)下一代移動(dòng)內(nèi)存技術(shù)的革新。據(jù)悉，兩家公司均計(jì)劃在2026年后推出采用新型“類HBM式”堆疊結(jié)構(gòu)的移動(dòng)內(nèi)存，以應(yīng)對日益增長的智能設(shè)備端側(cè)AI處理需求。
三星電子所研發(fā)的LP Wide I/O內(nèi)存，以其驚人的512bit位寬成為市場焦點(diǎn)，這一數(shù)字達(dá)到了現(xiàn)有LPDDR內(nèi)存的八倍。同時(shí)，該產(chǎn)品還實(shí)現(xiàn)了I/O密度和帶寬的顯著提升，預(yù)計(jì)將在2025年初完成技術(shù)準(zhǔn)備，并隨后進(jìn)入量產(chǎn)階段。SK海力士也不甘示弱，其推出的VFO技術(shù)通過縮短導(dǎo)線長度和優(yōu)化封裝厚度，實(shí)現(xiàn)了能效的顯著提升。
據(jù)ITBEAR了解，新一代移動(dòng)內(nèi)存的設(shè)計(jì)將緊密圍繞移動(dòng)處理器的需求展開。這意味著，未來的移動(dòng)DRAM市場將更加注重定制化供應(yīng)，以滿足不同合作伙伴的特定需求。這種趨勢有望為整個(gè)行業(yè)帶來更為靈活和高效的解決方案。
目前，盡管具體如何將這些高性能移動(dòng)內(nèi)存與處理器相結(jié)合尚待揭曉，但行業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期，類似HBM的先進(jìn)封裝技術(shù)將在這一過程中發(fā)揮關(guān)鍵作用。無論是采用2.5D封裝還是3D垂直堆疊，這些新技術(shù)都將為移動(dòng)設(shè)備帶來前所未有的性能提升。
