【ITBEAR】8月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體領(lǐng)域的三大巨頭——SK海力士、臺(tái)積電與NVIDIA，即將攜手展開(kāi)深度合作，共同致力于下一代高頻寬內(nèi)存技術(shù)（HBM）的研發(fā)。
這一重要合作計(jì)劃有望在中國(guó)臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（Semicon Taiwan）上于9月正式對(duì)外宣布，屆時(shí)，SK海力士的社長(zhǎng)金柱善將發(fā)表專(zhuān)題演講，詳細(xì)介紹合作細(xì)節(jié)。
據(jù)ITBEAR了解，此次三方合作的核心將聚焦于HBM技術(shù)的深入研發(fā)，旨在搶占AI服務(wù)器關(guān)鍵零組件的技術(shù)高地。HBM作為一種先進(jìn)的3D堆疊內(nèi)存技術(shù)，對(duì)于提升AI和高性能計(jì)算處理器的內(nèi)存性能具有至關(guān)重要的作用。
合作的目標(biāo)明確指向2026年實(shí)現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)。屆時(shí)，將采用臺(tái)積電的12FFC+及5納米工藝來(lái)制造HBM4接口芯片，以實(shí)現(xiàn)更小的互連間距，進(jìn)一步提升技術(shù)性能。
值得注意的是，SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM內(nèi)存的獨(dú)家供應(yīng)商，預(yù)計(jì)2026年NVIDIA推出的Rubin系列將正式采用這一先進(jìn)的HBM4技術(shù)。
此次深度合作不僅將進(jìn)一步鞏固三方在AI半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位，還有望拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距，形成更加穩(wěn)固的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
此外，臺(tái)積電也在積極布局，加強(qiáng)其CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術(shù)的產(chǎn)能，以全力支持HBM4的大規(guī)模量產(chǎn)，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。
