【ITBEAR科技資訊】4月28日消息，臺(tái)積電在近日于北美舉辦的技術(shù)研討會(huì)上公布了一項(xiàng)重大進(jìn)展，他們正在積極研發(fā)CoWoS封裝技術(shù)的全新版本。這一新版本的技術(shù)將使得系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的尺寸能夠增大至原來(lái)的兩倍以上，實(shí)現(xiàn)120x120mm的超大封裝規(guī)模，而其功耗更是可以達(dá)到千瓦級(jí)別。
據(jù)臺(tái)積電官方揭示，新一代CoWoS封裝技術(shù)將采用一種創(chuàng)新的硅中介層設(shè)計(jì)，其尺寸達(dá)到了光掩模(也被稱(chēng)為Photomask或Reticle，面積大約為858平方毫米)的3.3倍。這一設(shè)計(jì)不僅能封裝邏輯電路，還能集成8個(gè)HBM3/HBM3E內(nèi)存堆棧、I/O接口以及其他芯粒(Chiplets)，總面積最高可達(dá)到2831平方毫米，而基板的最大尺寸則為80x80毫米。有消息稱(chēng)，AMD的Instinct MI300X以及Nvidia的B200都已經(jīng)開(kāi)始采用這一先進(jìn)技術(shù)。
臺(tái)積電已經(jīng)制定了明確的研發(fā)路線圖。他們計(jì)劃在2026年開(kāi)始投產(chǎn)下一代名為CoWoS_L的技術(shù)，其硅中介層尺寸將進(jìn)一步擴(kuò)大，達(dá)到光掩模的5.5倍。新一代技術(shù)將能封裝更多的邏輯電路、12個(gè)HBM3/HBM3E內(nèi)存堆棧、I/O接口以及其他芯粒，總面積有望提升到4719平方毫米。
臺(tái)積電的研發(fā)計(jì)劃并未止步于此。他們已經(jīng)在為2027年做好了布局，計(jì)劃進(jìn)一步推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，目標(biāo)是讓硅中介層尺寸達(dá)到光掩模的8倍以上，提供高達(dá)6864平方毫米的封裝空間。這將能封裝4個(gè)堆疊式集成系統(tǒng)芯片(SoIC)，以及12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧和額外的I/O芯片。這樣的封裝密度和性能，無(wú)疑將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)發(fā)展邁向新的高度。
