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臺(tái)積電晶圓技術(shù)取得重大突破,預(yù)計(jì)2027年推出先進(jìn)CoWoS芯片

   時(shí)間:2024-04-26 09:56:32 來源:ITBEAR編輯:瑞雪 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】4月26日消息,臺(tái)積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域正邁向一個(gè)新的里程碑。

據(jù)悉,該公司正準(zhǔn)備在2027年推出采用先進(jìn)CoWoS技術(shù)的芯片堆疊版本,這預(yù)示著臺(tái)積電在晶圓技術(shù)上的又一次重大突破。此技術(shù)的推出,進(jìn)一步鞏固了臺(tái)積電在系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解,臺(tái)積電通過整合SoIC、HBM等核心組件,正努力構(gòu)建一個(gè)功能強(qiáng)大、計(jì)算能力出眾的晶圓級(jí)系統(tǒng)。這個(gè)新型系統(tǒng)的計(jì)算能力令人矚目,有望與整個(gè)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器機(jī)架,甚至整臺(tái)服務(wù)器的性能相匹敵。這對(duì)于滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心在人工智能應(yīng)用方面的需求,將提供極其重要的支持。

臺(tái)積電系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)將迎重大突破:有望于2027年準(zhǔn)備就緒

在芯片制造工藝上,臺(tái)積電也取得了顯著進(jìn)步。其新公布的A16制程工藝,結(jié)合了納米片晶體管和背面供電技術(shù),目標(biāo)在于大幅提升邏輯密度和能效。與傳統(tǒng)的N2P工藝相比,A16制程工藝在相同工作電壓下,運(yùn)行速度提高了8-10%,在維持相同速度的同時(shí),功耗降低了15-20%,并且實(shí)現(xiàn)了1.1倍的密度提升。

不僅如此,臺(tái)積電在車用先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)上也未停下腳步。自2023年推出專為車用客戶設(shè)計(jì)的N3AE制程以來,公司持續(xù)融合尖端芯片與封裝技術(shù),以滿足汽車行業(yè)對(duì)更高計(jì)算能力的需求,同時(shí)嚴(yán)格遵守車輛安全和品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。

目前,臺(tái)積電正在積極研發(fā)InFO-oS和CoWoS-R等技術(shù)解決方案,旨在支持諸如先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車輛控制系統(tǒng)以及中控電腦等應(yīng)用。相關(guān)消息透露,這些技術(shù)有望在2025年第四季度完成AEC-Q100第二級(jí)驗(yàn)證。

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