【ITBEAR科技資訊】4月19日消息，近日，三星半導體在其韓國官網(wǎng)上發(fā)布了對兩位公司高管的采訪內(nèi)容，主要聚焦于高帶寬內(nèi)存(HBM)的未來發(fā)展。兩位高管在采訪中透露，三星正計劃運用TC-NCF工藝來生產(chǎn)16層的HBM4內(nèi)存，這標志著該公司在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
TC-NCF，即帶凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，雖然相較于無凸塊的混合鍵合技術(shù)顯得更為傳統(tǒng)，但其穩(wěn)定性和成熟度得到了業(yè)界的廣泛認可。然而，這種工藝的使用也意味著生產(chǎn)出的HBM內(nèi)存在相同層數(shù)下會相對較厚。盡管如此，三星已經(jīng)成功利用TC-NCF工藝推出了12層堆疊的36GB HBM3E內(nèi)存，并在其生產(chǎn)過程中對散熱結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化，以確保在高堆疊層數(shù)下的內(nèi)存可靠性。
除了繼續(xù)使用TC-NCF鍵合技術(shù)外，三星還打算在未來的HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中引入混合鍵合技術(shù)，形成一種雙軌并行的生產(chǎn)策略。這一戰(zhàn)略決策顯示了三星在內(nèi)存生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)靈活性和創(chuàng)新能力。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星高管強調(diào)，為滿足未來人工智能通用智能(AGI)對算力的巨大需求，僅依靠AI處理器或內(nèi)存廠商的單方面優(yōu)化是遠遠不夠的。雙方需要緊密合作，共同研發(fā)出更適應(yīng)AI需求的HBM內(nèi)存產(chǎn)品。這也是三星邁向AGI目標的重要一步。
為了更好地滿足用戶需求，并推動HBM內(nèi)存技術(shù)的快速發(fā)展，三星電子計劃利用其全面的邏輯芯片代工、內(nèi)存生產(chǎn)及先進封裝測試等業(yè)務(wù)優(yōu)勢，構(gòu)建一個完善的HBM內(nèi)存定制生態(tài)平臺。這將使三星能夠快速響應(yīng)各類用戶的定制需求，進一步提升其市場競爭力。
三星還與多家客戶就未來的3D HBM內(nèi)存技術(shù)進行了深入討論。
