【ITBEAR科技資訊】4月19日消息，近日，三星半導(dǎo)體在其韓國(guó)官網(wǎng)上發(fā)布了對(duì)兩位公司高管的采訪內(nèi)容，主要聚焦于高帶寬內(nèi)存(HBM)的未來(lái)發(fā)展。兩位高管在采訪中透露，三星正計(jì)劃運(yùn)用TC-NCF工藝來(lái)生產(chǎn)16層的HBM4內(nèi)存，這標(biāo)志著該公司在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
TC-NCF，即帶凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，雖然相較于無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)顯得更為傳統(tǒng)，但其穩(wěn)定性和成熟度得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，這種工藝的使用也意味著生產(chǎn)出的HBM內(nèi)存在相同層數(shù)下會(huì)相對(duì)較厚。盡管如此，三星已經(jīng)成功利用TC-NCF工藝推出了12層堆疊的36GB HBM3E內(nèi)存，并在其生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)散熱結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，以確保在高堆疊層數(shù)下的內(nèi)存可靠性。
除了繼續(xù)使用TC-NCF鍵合技術(shù)外，三星還打算在未來(lái)的HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中引入混合鍵合技術(shù)，形成一種雙軌并行的生產(chǎn)策略。這一戰(zhàn)略決策顯示了三星在內(nèi)存生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)靈活性和創(chuàng)新能力。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星高管強(qiáng)調(diào)，為滿足未來(lái)人工智能通用智能(AGI)對(duì)算力的巨大需求，僅依靠AI處理器或內(nèi)存廠商的單方面優(yōu)化是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。雙方需要緊密合作，共同研發(fā)出更適應(yīng)AI需求的HBM內(nèi)存產(chǎn)品。這也是三星邁向AGI目標(biāo)的重要一步。
為了更好地滿足用戶需求，并推動(dòng)HBM內(nèi)存技術(shù)的快速發(fā)展，三星電子計(jì)劃利用其全面的邏輯芯片代工、內(nèi)存生產(chǎn)及先進(jìn)封裝測(cè)試等業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建一個(gè)完善的HBM內(nèi)存定制生態(tài)平臺(tái)。這將使三星能夠快速響應(yīng)各類(lèi)用戶的定制需求，進(jìn)一步提升其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
三星還與多家客戶就未來(lái)的3D HBM內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行了深入討論。
