【ITBEAR科技資訊】3月21日消息，意法半導(dǎo)體與三星聯(lián)手打造的18nm FD-SOI工藝近日亮相，該工藝引入了嵌入式相變存儲(chǔ)器(ePCM)技術(shù)，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)革新。
FD-SOI，即全耗盡型絕緣體上硅技術(shù)，以其出色的漏電流控制能力和簡(jiǎn)化的制造步驟在半導(dǎo)體工藝中占據(jù)一席之地。此次，意法半導(dǎo)體將其與三星的先進(jìn)工藝結(jié)合，進(jìn)一步提升了技術(shù)性能。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，與意法半導(dǎo)體目前使用的40nm eNVM技術(shù)相比，新的18nm FD-SOI工藝在多個(gè)方面實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。在能效方面，新工藝提高了50%，這意味著在相同性能下，功耗將大幅降低。其次，數(shù)字密度也提升了3倍，使得片上能集成更多的晶體管，提高了整體性能。同時(shí)，新工藝還能容納更大的片上存儲(chǔ)器，并擁有更低的噪聲系數(shù)，進(jìn)一步提升了芯片的穩(wěn)定性和可靠性。
該工藝在3V電壓下即可提供多種模擬功能，包括電源管理、復(fù)位系統(tǒng)等。這在20nm以下制程中是獨(dú)一無(wú)二的，為低功耗設(shè)計(jì)提供了更多可能性。
此外，新的18nm FD-SOI工藝在抗高溫和抗輻射方面也有出色表現(xiàn)，使其非常適用于要求苛刻的工業(yè)應(yīng)用，如汽車電子、航空航天等領(lǐng)域。
意法半導(dǎo)體表示，首款基于該制程的STM32 MCU將于下半年開(kāi)始向選定的客戶出樣，并計(jì)劃于2025年下半年量產(chǎn)。這無(wú)疑將為消費(fèi)者帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)和更多的功能選擇。
隨著科技的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，我們期待未來(lái)會(huì)有更多令人驚喜的產(chǎn)品問(wèn)世，而意法半導(dǎo)體與三星的這次合作無(wú)疑為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
