【ITBEAR科技資訊】2月5日消息，三星在固態(tài)電路技術(shù)的前沿再次邁出堅定步伐。據(jù)悉，三星計劃在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會上，向全球展示其多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品，其中不乏此前已引發(fā)業(yè)內(nèi)關(guān)注的GDDR7內(nèi)存。
除了GDDR7外，三星還將帶來一款突破性的DDR5內(nèi)存芯片。這款芯片采用了先進的12納米級工藝技術(shù)，實現(xiàn)了在相同封裝尺寸下，容量達到16Gb DDR5 DRAM的兩倍，即32Gb。這一創(chuàng)新不僅優(yōu)化了內(nèi)存結(jié)構(gòu)，更預示著未來內(nèi)存技術(shù)的新方向。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這款DDR5內(nèi)存的I/O速度令人印象深刻，每個引腳高達8000Mbps。其設計基于三星第五代10nm級晶圓代工節(jié)點的Symmetric-Mosaic架構(gòu)，這一架構(gòu)是專門為DRAM產(chǎn)品量身定制的，以優(yōu)化性能和效率。
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang在談及這款新產(chǎn)品時表示：“通過我們的12nm級32Gb DRAM，我們已經(jīng)找到了實現(xiàn)高達1TB DRAM模塊的解決方案。這使我們能夠滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對高容量DRAM的迫切需求。我們將繼續(xù)推動工藝和設計技術(shù)的創(chuàng)新，以突破內(nèi)存技術(shù)的極限?！?/p>
以往使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB模塊需要依賴硅通孔(TSV)工藝。然而，三星的新32Gb DRAM無需TSV工藝即可生產(chǎn)128GB模塊，這不僅簡化了生產(chǎn)過程，更使得功耗降低了約10%。對于正在努力應對人工智能不斷增長能源需求的數(shù)據(jù)中心來說，這無疑是一個重要的進步。
此外，三星的最新DDR5技術(shù)還支持在單通道配置下以DDR5-8000速度構(gòu)建32GB和48GB DIMM，同時在雙通道配置下支持64GB和96GB DIMM。這一靈活性使得該技術(shù)能夠適應多種不同的應用場景和需求。
