【ITBEAR科技資訊】10月9日消息，據(jù)韓國媒體ChosunBiz報(bào)道，最新的數(shù)據(jù)顯示，三星電子和臺積電的3納米(nm)工藝制程的良率目前都穩(wěn)定在約50%左右。
這一消息表明，先前的報(bào)道曾稱三星電子的3nm良率超過60%，并已向中國客戶交付了一款芯片。然而，有分析人士指出，這款芯片雖然采用了3nm工藝，但由于省略了邏輯芯片中的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)，因此難以被視為“完整的3nm芯片”。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，盡管三星電子率先實(shí)現(xiàn)了3nm全柵極技術(shù)(GAA)的量產(chǎn)，但其產(chǎn)量仍不足以滿足大客戶的需求。這一新技術(shù)要求柵極環(huán)繞晶體管電流通道的四邊，相對于先前的三邊環(huán)繞工藝而言更為復(fù)雜。一位知情人士透露稱：“要贏得像高通這樣的大客戶，明年的3nm移動芯片訂單，良率至少需要提高到70%?！?/p>
與此同時，臺積電雖然是目前唯一一家實(shí)現(xiàn)3nm量產(chǎn)的公司，但其產(chǎn)量仍然低于最初的預(yù)期。一些分析師認(rèn)為，臺積電在3nm工藝中仍然采用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu)，可能未能解決過熱問題。
目前，三星和臺積電仍在努力提高3nm工藝的良率，以達(dá)到60%以上的目標(biāo)。臺積電計(jì)劃在明年量產(chǎn)N3E、N3P、N3X、N3AE等系列芯片，重點(diǎn)是提高良率以降低生產(chǎn)成本。
此外，一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，三星、臺積電和英特爾都在積極準(zhǔn)備2nm工藝，盡管與3nm相比，性能和功耗效率的提升并不顯著。因此，3nm工藝芯片的需求預(yù)計(jì)將持續(xù)超出預(yù)期。
在此之前，天風(fēng)國際分析師郭明錤曾在社交媒體上指出，蘋果iPhone 15 Pro系列的過熱問題與臺積電的3nm制程無關(guān)。他表示：“我的調(diào)查表明，iPhone 15 Pro系列的過熱問題主要可能是為了減輕重量而對散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)進(jìn)行妥協(xié)，例如散熱面積較小、采用鈦合金等影響散熱效果的因素。預(yù)計(jì)蘋果將通過軟件更新來解決這個問題，但如果不犧牲處理器性能，改善效果可能有限。如果蘋果無法妥善解決這個問題，可能會對iPhone 15 Pro系列產(chǎn)品的銷售產(chǎn)生不利影響?！?/p>
