【ITBEAR科技資訊】9月12日消息，三星電子和SK海力士兩大韓國科技巨頭正在積極加速推動12層HBM內(nèi)存的生產(chǎn)，這一進展預計將進一步滿足生成式人工智能(AI)和高性能計算的需求。HBM內(nèi)存技術的不斷發(fā)展，將為未來的計算和數(shù)據(jù)處理提供更強大的支持。
HBM內(nèi)存是一種高性能的存儲器，其特點是多層次的設計，可顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲容量。目前，主流HBM內(nèi)存通常由8層構(gòu)成，但據(jù)悉，即將開始量產(chǎn)的下一代HBM內(nèi)存將擁有高達12層的設計，這將進一步提升其性能水平。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，HBM內(nèi)存的封裝工藝一直是關鍵挑戰(zhàn)之一。傳統(tǒng)的封裝工藝通常采用熱壓粘合(TCB)和批量回流焊(MR)技術，但這些方法在處理高層數(shù)HBM內(nèi)存時會面臨發(fā)熱和封裝高度等問題。不過，三星電子和SK海力士目前正在積極推進一種名為混合鍵合(Hybrid Bonding)的封裝工藝，這一技術突破了傳統(tǒng)工藝的限制。
Hybrid Bonding的關鍵特點在于，除了在室溫下凹陷的銅bump完成鍵合外，兩個芯片之間的非導電部分也會進行粘合，因此，在芯片與芯片或晶圓與晶圓之間不存在空隙，無需使用環(huán)氧樹脂進行填充。這一技術的應用顯著提高了輸入/輸出(IO)吞吐量，允許在1平方毫米的面積內(nèi)連接1萬到10萬個通孔(via)。
